低成本制备的高稳定性碳纳米管复合阴极

通过改变SiO2纳米溶胶与碳纳米管的比例,选择合适的表面活性剂解决SiO2表面湿润问题,使SiO2得以均匀包裹CNT.采用Sol-Gel工艺制备CNT/SiO2复合物阴极,使用TEM对复合物的形貌、结构进行表征,对其场发射性能与稳定性进行了研究,获得了高增强因子及低屏蔽效应的阴极.发射测试实验表明:复合物中SiO2/CNT含量为80%时,阴极具有高发射电流和较佳的场发射稳定性能.在场强为2 V/mm时,发射电流为56 mA/cm2,开启场为0.71 V/mm,发射电流波动3 h,波动<3%.该阴极发射电流高,稳定性良好,容易采用低成本的丝网工艺制备成各种不同尺寸FED阴极.     

限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均匀度的研究

针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限流层,在其上制备CNT阴极薄膜.对CNT薄膜阴极的发射电流稳定性和均匀性进行了测试,给出了电阻限流层对场发射特性曲线的影响效果.SEM分析表明,氧化锌电阻层有利于消除CNT阴极的尖端屏蔽效应,并且使得CNT与衬底具有更加紧密的接触.场发射特性和场发射发光照片表明,虽然随着限流层厚度增加,阈值电压有所增加,发射电流有所减小,然而限流层的存在有效地改善了发射电流的稳定性,使得发射电流和场发射发光点分布更加均匀.     

碳纳米管的镍铜复合金属镀层及其抗电磁波性能

利用酸处理技术对CNT进行了改性处理。应用化学镀层法对改性后的CNT镀镍、铜及镍铜混合镀层技术进行了一系列研究。通过TG、XRD、SEM等分析表明,通过控制镀层处理的工艺条件,可以在CNT表面均匀原位生长出金属镀层,在一定条件下可形成纳米级稳定结构组成的镀层金属,而不同的金属材料形成的金相结构和分布状态有所不同。对镀层的碳纳米管材料采用四电极法和波导管法进行导电与电磁屏蔽性能测试,分析证明,复合金属镀层的电导率为17.3S/cm,电磁波屏蔽率为71dB,达到了目前国内外同类材料应用性能的优异水平。      

光电子学与光通信

目前微电子芯片中功能强大的，广泛使用的硅晶体管从微型化的角度说已接近其技术极限，新的技术途径在不断探索之中。光微芯片乃至光计算机是被广泛研究的极具吸引力的新技术之一，光通信更是推动人类进入通讯新纪元的关键技术。     

MPNIM结构光致变电容效应

本文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.     

变温光电法测量MIS太阳电池势垒高度

本文介绍一种测量MIS太阳电池的新方法—变温光电法,用这种方法可精确地测出MIS太阳电池的表面势垒高度、品质因数和界面态密度。     

高效率MINP硅太阳电池的研制

用扩散法制作MINP硅太阳电池的轻掺杂N区,用PECVD方法淀积的Si_3N_4作其减反射膜,在电阻率为1.5±0.5Ω·cm的P型硅衬底上制取了转换效率为16.5%的MINP太阳电池(有效面积AM1.5、100mw/cm~2、25℃)。本文分析Si_3N_4作MINP电池减反射膜的优点,并对限制MINP太阳电池性能进一步提高的因素进行讨论。     

用AT89C系列单片机实现5英寸TFT-LCD的遥控

用AT89C系列单片机在5英寸TFT-LCD液晶显示器上加装遥控系统，使之更容易被操作。硬件设计了遥控发射、遥腔接收和TFT-LCD驱动电路。软件设计主要是对遥控发射、遥控接收电路进行单片机编程。     

基于PIC16C72的电力三相不对称负载无功补偿算法的实现

用PICl6C72单片机设计了电力三相不对称负载的功率因数补偿控制系统，提出了补偿电容容量的优选算法及负载性质判定算法。该系统可用于380V、50Hz的三相电力系统，与无功功率补偿屏配套使用。他可根据电网无功功率的大小与性质启动控制补偿屏中的电容器投入或切断，从而减少电网的无功消耗，改善供电质量并节约电能。     

遗传算法的一种特例——正交试验设计法

简要介绍正交试验设计法与遗传算法的基本原理,分析它们之间的内在关系,指出正交试验设计法可以认为是遗传算法的一种特例,即它是一种初始种群固定的、只使用定向变异算子的、只进化一代的遗传算法.计算结果表明,正交试验设计法可以解决一般遗传算法中的最小欺骗问题.