多孔钨铯离子源的研制

本文介绍了我们研制的多孔钨铯离子源,这种铯源较其它类型的铯源去气充分,控制方便,制作简单。     

转移电子光阴极调制传递函数的理论计算

本文利用蒙特卡罗模拟的方法计算了Ａｇ／ｐ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＡｇＡｓＰ／ＩｎＰ转移电子光阴极的调制传递函数，计算结果表明转移电子光阴极具有较高的空间分辨率，并与阴极材料的吸收系数，有源层厚度有场助偏压有关，为获得较高的调制传递函数，应当昼降低吸收系数和缩短有源层厚度，提高场助电压。     

钛宝石再生放大器

钛宝石再生放大器最近我们利用中国科学院上海光机所生长的钛宝石激光晶体，研制成功了钛宝石激光再生放大器。放大器输出光脉冲能量为３．６ｍＪ，工作中心波长为８００ｕｒｎ，重复频率为每秒１０次。再生放大器的腔为平凹腔。凹面镜曲率半径Ｒ－４ｍ。腔长正．７６ｍ。...     

半导体激光器泵浦的Cr：LiSAF激光器研究

半导体激光器泵浦的Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ激光器研究Ｃｒ：ＬＩＳＡＦ晶体是一种宽带可调谐激光晶体，它的上能级寿命长（６７μｓ），增益系数高，激发态吸收小，并且在红光区域有吸收，可以用红光半导体激光器泵浦。我们利用光纤耦合的半导体激光器（６７０ｎｍ）作为泵浦源...     

用1／f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性

负温偏不稳定性是ＭＯＳ顺件最重要的可靠问题之一。本文实验上发现ＭＯＳＦＥＴ的Ａ／ｆ噪声与其负温偏不稳定性相关，初始１／ｆ噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。     

转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟

本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性，其中包括阴极的内部量子效率，电子的能量分布函数，谷间转移效率，同时也给出了阴极的时间响应特性．     

ZnO宽带隙半导体及其基本特性

ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点.同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识.本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本性质基础之上,对其能带结构和缺陷特征、电子输运以及P型掺杂等主要的半导体特性研究现状进行了较为全面综述和分析.由于ZnO半导体具有高的激子束缚能、优良的电子输运性质、强抗辐照特性以及低成本和环境友好等显著特征,它是未来半导体光电子领域极具应用潜力的新一代宽带隙半导体材料,但是到目前为止,p型掺杂技术仍然是ZnO半导体器件面临的最大挑战.     

对PPV衍生物非线性折射率的测量

利用532nm的连续激光对烷氧基非对称聚对苯撑乙烯衍生物的氯仿溶液进行诱导衍射实验,通过观察衍射环的个数可以估算出材料的克尔常数及非线性折射率。实验发现,当入射激光功率达到阈值0.77mW而小于3.36mW时,通过在接收屏处观察光克尔效应对激光横截面上的空间自相位调制而产生的衍射环个数,可以估算出样品溶液的克尔常数γ的大小近似为5.55×10-10m2/W及非线性折射率n2的大小为9.21×10-4esu。当入射激光功率继续增大时,由于热效应对激光横截面上的空间自相位调制产生的衍射环逐步淹没光克尔效应引起的衍射环,接收屏上的衍射图案将发生显著的变化。     

Ag与p-InP的肖特基势垒特性

本文对Ag与p-InP所形成的肖特基势垒进行了研究.通过在不同的表面热清洁温度下,对p-InP表面进行的AES分析,得到其表面清洁的最佳条件为480℃,20分钟.在超高真空系统内(真空度为2.66 × 10~(-7)Pa),根据热清洁条件对半导体表面进行热清洁后,可获得接近理想状态的清洁表面.在该清洁表面上制备出p-InP的肖特基势垒高度和理想因子分别为0.73 eV和1.09.另外本文还对肖特基结经不同温度及时间热处理后结特性的退化进行了研究.     

双极晶体管g－r噪声模型与深能级分析

本文根据发射结空间电荷区深能级缺陷诱生ｇ－ｒ噪声机构，建立了双极晶体管ｇ－ｒ噪声定量分析模型，从而对实验上观察到的双极晶体管ｇ－ｒ噪声的偏置特性作出了合理的解释．基于该模型，提出了一种利用ｇ－ｒ噪声测量确定双极型器件深能级参数的新方法．