AlN陶瓷研究新进展

AlN陶瓷在热、电、光和机械等方面具有非常良好的综合性能 ,可广泛应用于电子、冶金、机械、国防等领域。随着人们对AlN陶瓷研究的深入 ,它变得越来越重要。本文详细地综述了近年来AlN陶瓷在晶体缺陷、导热机理、粉末的制备及其水解和氧化、烧结及其应用等领域的研究进展 ,并展望了AlN未来的发展趋势。     

SiC晶体测温技术研究

针对航空发动机结构复杂和工况条件苛刻的问题,研究基于SiC晶体材料的测温技术,解决航空发动机燃烧室、涡轮和尾喷管等高温部件的测温难题。选取国产6H-SiC晶体作为材料,进行6H-SiC晶体的中子辐照。研究晶体测温的温度判读方法,提出X射线衍射峰半高宽作为温度判读参数,测量温度可达1 600℃,测量精度达到1%,比国外晶体测温技术的测温范围更高。该测温技术具有微尺寸、微质量、无引线的非侵入式优点,可用于航空发动机及燃气轮机的高温测量。     

GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性

本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理，用300kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像。经过处理的显微像上能够分辨间距为0．112nm的Ga和N原子，并能显示N原子空位。     

化学气相沉积金刚石薄膜的晶体缺陷和杂质

化学气相沉积(CVD)金刚石的主要晶体缺陷为孪晶、层错和位错。杂质主要有非晶碳、石墨和氢等。文中对上述晶体缺陷及杂质的研究进行了回顾：这些缺陷和杂质可以存在于晶内或者晶界；缺陷密度、杂质含量与化学气相沉积的沉积条件有很大关系；一般缺陷密度和杂质含量随甲烷浓度的增加而增加；杂质的存在也直接影响金刚石晶体缺陷的形成；并对CVD金刚石的五次孪晶的研究作了总结。这对以后CVD金刚石的晶体学研究具有较大的指导意义。     

镁铟共掺杂铌酸锂晶体的生长及光学性能

在同成分铌酸锂(LiNbO3,LN)体中掺入3%(摩尔分数,下同)MgO,并分别掺入0.5%,1%,1.5%In2O3,用提拉法生长了一系列Mg:In:LN晶体.通过紫外坷见吸收光谱测试确定了晶体样品的组成和缺陷结构.通过透射光斑畸变法检测Mg:In:LN晶体抗光损伤能力.结果表明:Mg:In:LN晶体抗光损伤能力比纯LN晶体提高2个数量级.以波长为1 064nm的Nd:YAG激光为基频光源,对Mg:In:LN晶体的倍频性能进行了测试.结果表明:Mg:In:LN晶体的相位匹配温度在室温附近,Mg:In:LN晶体的倍频效率要高于In:LN晶体和Mg:LN晶体.     

分子束外延碲镉汞薄中VODI缺陷的研究

ＨｇＣｄＴｅ薄膜中的Ｖｏｉｄ缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜中的Ｖｏｉｄ缺陷进行了 形貌，剖面观测和能谱分析。     

石墨的晶体缺陷对其润滑性的影响

石黑晶体中存在着各种类型的缺陷, 在非真空条件下,石墨晶体将自发地吸收和镶嵌各种气体分子和原子,这一现象在其晶体表面尤为突出,特别是能使被吸附物在石墨表面形成一层以化学吸附为主的薄膜,从而大大降低石墨的摩擦系数。     

结构和缺陷对二维光子晶体传输性质的影响

用转移矩阵方法计算了二维光子晶体的传输性质，讨论了不同极化光的透射行为，比较了正方点阵、有心正方点阵、含缺陷有心正方点阵光子能带对透射特性的影响，获得了第一禁带特性与光子晶体结构的一些基本关系。     

仪表元器件可靠性分析与检测

本文从元器件设计、材料及工艺等角度,简要介绍了半导体器件的失效机理、失效模式,并对常规失效检测法及其仪器设备作了概述。