掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀

利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失.     

多晶FeS2薄膜电学性能的研究与进展

FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料，改善光电转换效率是主要研究方向，而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展，分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响，介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制，讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。     

AIN陶瓷研究新进展

AlN陶瓷在热、电、光和机械等方面具有非常良好的综合性能,可广泛应用于电子、冶金、机械、国防等领域。随着人们对AlN陶瓷研究的深入,它变得越来越重要。本文详细地综述了近年来AlN陶瓷在晶体缺陷、导热机理、粉末的制备及其水解和氧化、烧结及其应用等领域的研究进展,并展望了AlN未来的发展趋势。     

CdSe单晶的正电子寿命研究

利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究，通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析，表明：在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系，研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况，确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。     

刃型位错应力场分量的计算机模拟

在晶体缺陷的分析研究中,计算机模拟是一种重要的手段,本文介绍一种计算机模拟刃型位错应力场的方法,阐述并论证了该方法的基本原理,给出了计算机模拟结果,该方法在研究位错膨胀等方面也具有参考价值。     

稀土催渗离了渗氮层中晶体缺陷的研究

用透射电镜研究了稀土催渗渗离子渗氮层中的晶体缺陷。结果表明,稀土催渗使γ′－Ｆｅ４Ｎ晶粒显著细化,晶界面缺陷的增加有利于氮原子的扩散。在γ′－Ｆｅ４Ｎ晶粒内有许多尺寸较小的空位型Ｆｒａｎｋ位错环及其蜷线位错和堆垛层错等晶体缺陷;扩散层铁素体中存在的高密度位错及位错环。大量空位的存在,以及位错吸引空位运动,是加速渗氮的主要原因。     

晶体缺陷对CL-20/NQ共晶炸药性能影响的理论研究

为了研究晶体缺陷对六硝基六氮杂异伍兹烷(CL-20)/硝基胍(NQ)共晶炸药的稳定性、感度与爆轰性能的影响,建立了"完美"型与含有晶体缺陷(掺杂、空位与位错)的CL-20/NQ共晶炸药模型。采用分子动力学方法,预测了各种模型的性能,得到了不同模型的结合能、引发键键长分布、键连双原子作用能、内聚能密度及爆轰参数并进行了比较。结果表明,与"完美"型晶体相比,缺陷晶体的结合能减小幅度为4.29%～24.33%,表明分子之间的相互作用力减弱,炸药的稳定性降低。缺陷晶体的引发键键长增大幅度为0.78%～6.04%,而键连双原子作用能减小幅度为2.86%～20.03%,内聚能密度减小幅度为2.46%～12.72%,表明炸药的感度升高,安全性变差。由于晶体缺陷的影响,炸药的密度、爆速与爆压减小幅度分别为0.58%～7.57%、0.43%～5.99%、1.19%～15.31%,表明能量密度与威力减小。因此,晶体缺陷会对CL-20/NQ共晶炸药的稳定性、感度与能量特性产生不利影响,其中空位缺陷对炸药性能的影响更为显著。     

金属间化合物的计算机模拟研究

简述了目前金属间化合物计算机模拟常用的第一原理方法和嵌入原子方法模型结合的分子动力学方法。综述了近年来金属间化合物晶体缺陷结构方面的计算机模拟研究成果。     

砷化镓晶体缺陷显示的可靠性分析

为了提高砷化镓缺陷检测的可靠性,对熔融ＫＯＨ腐蚀性,ＡＢ腐蚀法和超声ＡＢ腐蚀法三种腐蚀方法进行了可靠性对比实验研究。发现超声ＡＢ腐蚀法操作简便,适用范围广,显示缺陷的可靠性和充分性奶高,同时具有分辨能力强,获得缺陷信息量多等特点,是一种值得推广的ＧａＡｓ晶体缺陷检测方法。作者提出了超声ＡＢ腐蚀检测ＧａＡｓ晶体缺陷的检测工艺条件。并提供了部分有代表性的照片,可作有关部门在今后修订国家标准时参考。