空气对HAC太阳电池晶体硅/本征非晶硅界面污染情况分析

采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率。比对结果表明:全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度（J0）和理论开压（iVOC）分别为5.12×10-15 A·cm-2和0.731 V,模拟效率为23.15%;IN-IP破真空镀膜样品的J0和iVOC分别为9.06×10-14 A·cm-2和0.654 V,模拟效率为20.24%。因此,热丝CVD全程真空环境相对于IN-IP破真空镀膜具有更优的膜层生长方法。     

BPxN1-x薄膜的制备及磷元素对其光学能隙的影响

本文从应用出发，选择光学石英为衬底，采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1—x薄膜，对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态，表面形貌随时间变化，最终为胞状；紫外—可见光光谱结果显示BPxN1—x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此，该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外，BPxN1—x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器。     

Ni-Fe-C对YG30硬质合金与45#钢TIG焊过程中η相形成的影响

采用Ni—Fe—C合金作为填充金属，实现了YG30硬质合金与45^#钢的TIG焊。采用光学显微镜、扫描电镜、电子探针、X射线衍射和显微硬度等方法对焊后试样的焊接接头进行了分析。结果表明：(1)采用Ni—Fe—C合金可以获得YG30硬质合金与45^#钢TIG焊的焊接接头；(2)在Ni—Fe合金的基础上加入适量的C可以抑制YG30／焊缝界面侧大块η相的形成；(3)由于C的扩散而引起的W—Co—C体系的贫碳与YG30／焊缝处高浓度Fe的出现是η相形成的重要原因，YG30／焊缝界面侧形成的η相为M6C型和M12C型复合碳化物。     

热丝辅助ECR CVD制备cBN薄膜

立方氮化硼(cBN)是一种具有广泛应用价值的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物，其优异性质可与金刚石相比拟或胜之．立方氮化硼的制备与性能研究是近二十年来材料领域关注的焦点之一．我们用热丝辅助ECR CVD方法制备了cBN薄膜，并初步探讨了热丝对cBN形成的作用．偏压并不是cBN形成的唯一主要条件，活性粒子也有非常关键的作用．     

液体低温热导率的测试

介绍了非稳态法测试液体在低温下（－１００～５０℃）的热导率的测试原理、方法，测试了全氟三乙胺的低温热导率。为了提高测试的重复性，采用了相对比较法，并给出了测试装置及测试结果和误差分析。     

金刚石薄膜制备和评价

采用平直钨丝作热解源,并借助钨丝支架的弹性恢复力,较好地解决了热丝热解化学气相沉积法(HFCVD)合成金刚石过程中热解丝的变形问题.样品独立加热,基片温度、钨丝温度、钨丝与样品基片距离均可独立调节.装置改进后,在Si(100)上合成了面积大约45mm×25mm的比较均匀的金刚石膜.用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱和X射线衍射仪对制备的金刚石膜进行了分析.     

基于金刚石薄膜的微间隙室制备

采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室(MGC)结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚石薄膜介质层的MGC的制备技术,其典型结构为阳极微条宽20μm,微条间隔180μm,器件探测区面积为38 mm×34 mm。采用热丝CVD法制备的金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层,厚7~8μm,具有(100)晶面结构。金刚石的刻蚀采用反应离子刻蚀,Cr作掩膜,O2和SF6为刻蚀气体,刻蚀速率为79 nm/min,与Cr的刻蚀比约为20:1。实验结果表明,采用的微加工结合自套准工艺可很好地解决金刚石薄膜的制备、图形化及金属阳极电极与金刚石薄膜的相互套准等金刚石薄膜的可加工性及兼容性问题,并制备出采用金刚石薄膜作为电极间绝缘介质层的新型MGC结构。     

一种小电流下的引弧及稳弧方法

介绍一种小电流直流TIG焊中的引弧及稳弧方法，并对实现此功能的控制电路进行了详细的分析。简单介绍了此种小型焊机的特点及用途。     

单片机控制IGBT逆变式脉冲TIG焊电源的研究

本文介绍了单片机控制的ＩＧＢＴ逆变式脉冲ＴＩＧ焊电源系统的硬件结构及其焊接时序的控制和规范参数的调节方法。该系统采用接触提升引弧方式，并具有不合理规范参数的自动识别功能。