无支撑、光学级MPCVD金刚石膜的研制

利用引进的6 kW微波等离子体化学气相沉积设备,进行了无支撑金刚石膜工艺的初步研究。在800~1050℃的基片温度范围内,金刚石膜都呈(111)择优取向;基片相对位置对沉积较大面积、光学级金刚石膜至关重要。制出0.25 mm厚Φ50 mm的无支撑金刚石膜。拉曼光谱和X射线衍射分析表明,合成的金刚石膜晶体结构完整,sp2含量极低;透过率测试结果说明了优良的光学性能:截止波长225 nm,光学透过率(λ≥2.5μm)≥70%。     

金刚石多晶薄膜的合成与研究

本文采用热解化学气相沉积方法，以甲烷和氢的混合气体为原料，在单晶硅和锗、 铜、钼、石英玻璃、碳化钨和石墨基板上合成金刚石薄膜，而且在单晶硅基板上合成出其面积大于２０×２０ｍｍ２的比较均匀的金刚石膜，同时对金刚石膜的生长特性进行了研 究。     

反应温度对聚苯胺薄膜生长的影响

在不同反应温度条件下采用原位聚合法在石英基片上制备了聚苯胺薄膜．对薄膜样品进行了紫外光谱、SEM、电性能表征。实验结果表明，过高的合成温度会加速聚合反应过程，抑制膜厚的增长，引起薄膜的热降解，进而对样品的导电性产生不良影响。根据生长速率与合成温度的依赖关系，估算了聚合反应的活化能Ea=34.4kJ/mol。     

大气下火焰法合成金刚石薄膜

本文介绍了用氧-乙炔火焰法在大气下合成金刚石薄膜的实验结果,初步研究了基板温度对金刚石晶体生长速度、结晶习性的影响,指出了在金刚石(111)及(100)晶面上外延单晶金刚石膜的温度范围,还探讨了氧对薄膜的质量均匀性的影响。     

"大面积高光学质量金刚石膜制备、加工及应用"关键技术研究进展

采用具有我国独立知识产权的磁控/流体动力学控制大口径长通道等离子体炬技术(中国发明专利)建造的100kW级高功率DC Arc Plasma Jet CVD膜沉积系统(在气体循环条件下工作)和10kW级DC Arc Plasma Jet CVD装置成功地制备了高光学质量(光学级透明)大面积金刚石自支撑膜。在气体循环条件下制备的金刚石自支撑膜最大面积φ100mm,最大厚度～2mm。其中光学级透明金刚石膜最大直径φ60mm,厚度～0.6mm。在气体不循环状态(Blow down mode,10kW级JET)制备的光学级     

提高HFCVD法合成金刚石中钨热解丝寿命的措施

ＨＦＣＶＤ法合成的金刚石中钨热解丝在沉积过程中因碳化而产生裂纹,在停机操作时钨热解丝因骤冷产生了热应力而断裂,停机操作前采用碳化钨还的技术及减缓钨丝冷却速度,可将钨丝的寿命提高３－５倍。     

燃焰法沉积金刚石薄膜的实验研究

研究分析了燃焰法沉积金刚石薄膜时基片表面处理状态，燃烧气体流量比基片温度对薄膜成核密度、质量和晶体形态的影响。结果表明，在不同粒度的研磨粉研磨的基片表面上金刚石薄膜成核密度不同；燃烧气体流量配比对金刚石薄膜的质量影响很大；基片温度是影响金刚石薄膜晶体形态的一个重要因素。     

离子束反应溅射ZnO薄膜的晶体结构及光学、电学性质研究

采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品XRD谱的分析,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素.在基片温度350 ℃,氧分压1.3 的溅射条件下,得到了完全沿c轴取向生长的只有(002)晶面的ZnO薄膜.薄膜的吸收光谱测量结果表明,基片温度和氧分压对ZnO薄膜的光学禁带宽度有重要影响.不同氧分压、不同基片温度制备的薄膜电阻率相差很大.     

MPCVD法在氧化铝陶瓷上的金刚石膜沉积及其成核分析

用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）法在氧化铝陶瓷基片上沉积了金刚石薄膜。实验表明，对基片进行适当的预处理，包括用金刚石研磨膏仔细研磨和沉积前原位沉积一层无定形碳层，可显著提高成核密度；对硅衬底和氧化铝基片上金刚石膜的成核过程进行了对比分析，并提出了提高氧化铝基片上沉积金刚石的成核的措施。     

合成C-BN膜之新方法——热钨丝辅助的等离子体CVD法

引言合成金刚石膜有许多种工艺,如碳靶的离子束喷溅法,烃类用氢稀释的射频或微波等离子体CVD法以及烃类的热钨丝CVD法。世界上正致力于研究合成立方系氮化硼(C-BN)膜中的气体。然而,C-BN膜的合成,除离子束喷溅法外,在等离子体法和热CVD工艺中并没有得到成功。用离子束喷溅法,形成的C-BN结构部分为无定形的BN(α-BN)结构。如上所述,在合成C-BN和金刚石结构的工艺中似乎在气源上略有差异.从这一点出发,我们研究了等离