溶胶凝胶模板法制备In2O3纳米线及其气敏性能

以InCl3·4H2O和乙二胺为原料,采用溶胶凝胶模板法合成了立方晶系的In2O3纳米线,利用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜对材料的组成、形貌、晶粒的大小、直径进行了表征,结果表明,产物是直径为80-100nm,晶粒直径为4-10 nm的纳米线。用产物In2O3纳米线制备气敏元件,气敏测试结果显示,合成的In2O3纳米线对NO2具有很高的灵敏度,器件的最佳工作温度为360 ℃。     

硼掺杂对非晶硅薄膜微结构和光电性能的影响

以硅烷（SiH4)和硼烷（B2H6）为气相应反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出轻掺硼非昌氢硅薄膜，X射线衍射，原子力显微镜和光，暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率，降低了非晶氢硅薄膜的光，暗电导比，并促进了非晶氢硅薄膜中硅微晶粒的生长，红外吸为研究预示了大量的硼原子与硅，氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对P型掺杂有贡献。     

掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究

以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法，(PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比；硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大，薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米硅，最后发展为多晶硅。红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献。     

BPxN1-x薄膜的制备及磷元素对其光学能隙的影响

本文从应用出发，选择光学石英为衬底，采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1—x薄膜，对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态，表面形貌随时间变化，最终为胞状；紫外—可见光光谱结果显示BPxN1—x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此，该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外，BPxN1—x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器。     

硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响

本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响.研究表明,与传统掺硼非品硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si:H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能E≈0.50eV、σph/σd＞102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力.     

光隔离器及其相关的磁光材料

本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类 ,并提出了该器件今后发展的几个问题 ,最后介绍了几种磁光材料     

乙烯对CVD法制备硅薄膜性能的影响

以硅烷和乙烯的混合气体的原料气,通过常压化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长出了硅薄膜。结合光电子能谱、高分辨电镜以及薄膜抗腐蚀性研究,证实乙烯的引入使硅薄膜中形成一定数量的ＳｉＣ微晶粒。ＳｉＣ较高的化学稳定性使薄膜具有较强的耐碱性,而其较小的折射率使薄膜的镜面反射率较高低。含有ＳｉＣ的硅薄膜经碱液适当腐蚀后能降低镜面反射,进而有可能减少光污染现象。     

Fabrication of Titanium Dioxide Thin Films by DBD-CVD Under Atmosphere

Titanium dioxide films were firstly deposited on glass substrate by DBD-CVD （dielectric barrier discharge enhanced chemical vapor deposition） technique. The structure of the films was investigated by X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscopy （SEM）. TiO2 films deposited under atmosphere pressure show preferred orientation, and exhibit columnar-like structure, while TiO2 films deposited under low gas pressure show no preferred orientation. The columnar-like structure with preferred orientation exhibits higher photocatalytic efficiency, since the columnar structure has larger surface area. However, it contributes little to the improvement of hydrophilicity. DBD-CVD is an alternative method to prepare photocatalytic TiO2 for its well-controllable property.     

非晶硅碳合金(a-SiCx:H)薄膜的进展

从制备方法,结构特征和光电性能等各方面介绍了氢化非晶硅碳合金（ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜这种重要的半导体材料,对其发展现状及前景进行了综述。并对近年来出现的纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜的发展状况作了专门评述。     

退火处理对Si/SiC纳米复合薄膜性能与结构的影响

我们以硅烷(SiH4)和乙烯(C2H4)为原料,采用常压热分解APCVD法制备出了Si/SiC复合镀膜玻璃,并对其进行了退火处理.本文利用多种测试技术对退火后硅镀膜玻璃的光学性能以及其组成结构、化学稳定性等方面作了系统研究,发现退火处理能在保持镀膜玻璃其它重要性能变化不大的基础之上较好地改善硅镀膜玻璃的光学性能、降低玻璃的反射率、有效地防止目前日趋严重地光污染问题,为改善SSi/SiC复合镀膜玻璃的性能、扩大其应用领域作了有益的探索.