Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性

利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响．当Ga/Zn气相摩尔比为3.2 at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47e19cm－3,透射率高于90%;当载流子浓度升高时,吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应．同时室温光致发光谱显示,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移,峰形展宽,这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关．当Ga/Zn比达到6.3 at%时,由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降．     

基于时空马尔可夫随机场模型的车辆跟踪算法研究

鲁棒的车辆跟踪是实现交通事件自动检测的重要前提,车辆跟踪中的车辆相互遮挡则是影响车辆跟踪结果的关键因素。针对这一难题,设计自适应的车辆跟踪算法,并依据交通图像序列的时空相关性,根据马尔可夫的基本理论和贝叶斯方法,应用MRF-MAP理论分析框架,并结合了彩色图像序列的纹理信息建立了图像序列的时空马尔可夫随机场模型。采用随机松弛算法中的Metropolis算法来求解时空马尔可夫随机场模型,对车辆跟踪得到的目标标号图进行优化,从而解决车辆跟踪中的遮挡问题。初步实验结果,跟踪不遮挡的车辆时达到的跟踪成功率为95%。遮挡情况时成功率也可达到83%。实验结果表明,该跟踪算法在不遮挡时效果非常理想,在遮挡情况下跟踪鲁棒性也较好。     

电动汽车电池管理系统研究进展

电池动力汽车作为新型环保型汽车受到了广泛关注。电池管理系统作为电动汽车稳定高效运行的保障,对电动汽车的发展起着关键作用。简单介绍了电动汽车发展研究成果,基于现阶段电池管理系统的发展成果,给出了一种电池管理系统的典型结构,介绍了系统的简单模块分布。重点总结分析了现有的一些SOC估算、热管理及均衡管理的功能及实现方法。通过分析各典型电池管理模块性能特点,提出了对电动汽车电池管理系统的未来展望。     

Preliminary Process Design of ITER ELM Coil Bracket Brazing

With the technical requirement of the International Thermonuclear Experimental Reactor(ITER) project,the manufacture and assembly technology of the mid Edge Localized Modes(ELM) coil was developed by the Institute of Plasma Physics,Chinese Academy of Science(ASIPP).As the gap between the bracket and the Stainless Steel jacketed and Mineral Insulated Conductor(SSMIC) can be larger than 0.5 mm instead of 0.01 mm to 0.1 mm as in normal industrial cases,the process of mid ELM coil bracket brazing to the SSMICT becomes quiet challenging,from a technical viewpoint.This paper described the preliminary design of ELM coil bracket brazing to the SSMIC process,the optimal bracket brazing curve and the thermal simulation of the bracket furnace brazing method developed by ANSYS.BAg-6 foil(Bag50Cu34Zn16) plus BAg-la paste(Bag45CuZnCd) solders were chosen as the brazing filler.By testing an SSMICT prototype,it is shown that the average gap between the bracket and the SSMIC could be controlled to 0.2-0.3 mm.and that there were few voids in the brazing surface.The results also verified that the preliminary design had a favorable heat conducting performance in the bracket.     

基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.     

界面化学反应形成的纳米颗粒对有机交叉点存储器的影响

研究了有机交叉点存储器件中,有机物与电极界面化学反应形成的纳米颗粒对电学特征的影响.器件的阳极和阴极分别为氧化铟锡(ITO)导电玻璃和真空热蒸发沉积的～薄膜,有机半导体层为真空热蒸发沉积的2-amino-4,5-dicyanoimidazole(AlDcN)薄膜.通过透射电子显微镜(TEM)和X光电子能谱(XPS)测量,在AIDCN/ITO界面上发现SnOx纳米颗粒形成,并证明此纳米颗粒的形成是由于ITO中的高价氧化锡和AIDCN之间的固相反应,纳米颗粒中的Sn元素主要是从ITO表面的锡富集层中析出.研究证明了界面上纳米颗粒的形成是器件双稳态现象的关键,用这种方式制成的交叉点结构的三层有机存储器件其开关比达到107～1011.     

基于区域优化的等厚对接焊缝图像二值化方法

坡口镜面反射、多层多道焊坡口形貌复杂和飞溅等现象,使图像存在灰度级多、灰度分布不均和随机噪声等问题,为此提出了一种基于区域优化的等厚对接焊缝图像二值化方法。提出自适应定义ROI算法以缩减图像;基于邻域灰度极差值的分布,将ROI图像分为平缓和剧烈两区域;进一步以高质量二值化图像为目标,建立了区域判定优化模型,由最优结果确定焊缝光带区域,将该区域灰度均值作为阈值,完成二值化处理。实验结果的主观和客观评价较优,满足多层多道焊和多厚度规格钢板的实时性焊接要求。     

Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究

通过PL 谱和Raman谱对MOCVD生长Si基Al N的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1 ,Et2 ,Et3,分别在Ev 上2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2 、Et3都是由于衬底Si原子扩散到Al N引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,Al N中Et1 和Et2 两个深陷阱中心也是稳定的     

湿式离合器内花键摩擦热负荷分析

以某高能量密度湿式离合器摩擦片为研究对象,对摩擦片的渐开线花键进行热负荷研究。基于ANSYS多物理场建立摩擦片接合过程的三维瞬态热-结构耦合模型,综合考虑螺旋径向复合油槽的影响,分析摩擦片内花键瞬态热应力和热变形。通过分析得出:接合过程中内花键齿部出现了较大的温度梯度,在齿根处出现明显的热应力集中,因而对处于复杂工况的花键的连接可靠性有较大影响;齿部的热变形量随油槽分布位置的不同出现了较大的差异,而热变形的差异性会导致齿部载荷不均匀,在受到冲击载荷时易造成断齿失效。     

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.