| 界面化学反应形成的纳米颗粒对有机交叉点存储器的影响 |
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| 引用本文： | 孙叶丹,李昀,邱旦峰,曹立强,潘力佳,濮林,施毅.界面化学反应形成的纳米颗粒对有机交叉点存储器的影响[J].半导体学报,2008,29(12). |
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| 作者姓名： | 孙叶丹 李昀 邱旦峰 曹立强 潘力佳 濮林 施毅 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展规划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了有机交叉点存储器件中,有机物与电极界面化学反应形成的纳米颗粒对电学特征的影响.器件的阳极和阴极分别为氧化铟锡(ITO)导电玻璃和真空热蒸发沉积的～薄膜,有机半导体层为真空热蒸发沉积的2-amino-4,5-dicyanoimidazole(AlDcN)薄膜.通过透射电子显微镜(TEM)和X光电子能谱(XPS)测量,在AIDCN/ITO界面上发现SnOx纳米颗粒形成,并证明此纳米颗粒的形成是由于ITO中的高价氧化锡和AIDCN之间的固相反应,纳米颗粒中的Sn元素主要是从ITO表面的锡富集层中析出.研究证明了界面上纳米颗粒的形成是器件双稳态现象的关键,用这种方式制成的交叉点结构的三层有机存储器件其开关比达到107～1011.
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| 关 键 词： | 有机交叉点存储器 电学双稳态 固相化学反应 纳米颗粒 |
Effect of the Interfacial Nanoparticles on Organic Cross-Point Memory |
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| Sun Yedan,Li Yun,Qiu Danfeng,Cao Liqiang,Pan Lijia,Pu Lin,Shi Yi.Effect of the Interfacial Nanoparticles on Organic Cross-Point Memory[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(12). |
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| Authors: | Sun Yedan Li Yun Qiu Danfeng Cao Liqiang Pan Lijia Pu Lin Shi Yi |
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