界面化学反应形成的纳米颗粒对有机交叉点存储器的影响

研究了有机交叉点存储器件中,有机物与电极界面化学反应形成的纳米颗粒对电学特征的影响. 器件的阳极和阴极分别为氧化铟锡（ITO）导电玻璃和真空热蒸发沉积的Al薄膜,有机半导体层为真空热蒸发沉积的2-amino-4,5-dicyanoimidazole (AIDCN) 薄膜. 通过透射电子显微镜（TEM）和X光电子能谱（XPS）测量,在AIDCN/ITO界面上发现SnOx纳米颗粒形成,并证明此纳米颗粒的形成是由于ITO中的高价氧化锡和AIDCN之间的固相反应,纳米颗粒中的Sn元素主要是从ITO表面的锡富集层中析出. 研究证明了界面上纳米颗粒的形成是器件双稳态现象的关键,用这种方式制成的交叉点结构的三层有机存储器件其开关比达到1E8~1E11.     

一种有机薄膜器件的制备及电存储特性

研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性.器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜,中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin-2-ylidene)-malononitrile(HPYM)有机薄膜.器件起始状态为非导通态,在大气环境下,可用正、反向电场进行信号的写入和擦除,表现为极性记忆特性.通过自然氧化的方法在底电极Al表面形成一层Al2O3薄膜层后,可使器件在不同的正向电压脉冲作用下达到不同的导电态,具有一定的多重态存储特性.同时,研究了不同的电极组合对器件电性能的影响,并通过紫外-可见吸收光谱以及喇曼光谱对器件界面进行表征.     

一种有机薄膜器件的制备及电存储特性

研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性.器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜,中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin-2-ylidene)-malononitrile(HPYM)有机薄膜.器件起始状态为非导通态,在大气环境下,可用正、反向电场进行信号的写入和擦除,表现为极性记忆特性.通过自然氧化的方法在底电极Al表面形成一层Al2O3薄膜层后,可使器件在不同的正向电压脉冲作用下达到不同的导电态,具有一定的多重态存储特性.同时,研究了不同的电极组合对器件电性能的影响,并通过紫外-可见吸收光谱以及喇曼光谱对器件界面进行表征.     

有机薄膜电致发光器件的热效应及器件失效过程研究

制备器件的同时也在铟锡氧化物 (ITO)和各层有机薄膜上覆盖一层不透气的薄膜 ,然后快速退火 ,发现了导致有机薄膜电致发光器件的热效应及器件失效的可能因素 ,从而提出了一种与有机薄膜电致发光器件制备工艺完全兼容的工艺检测方法———覆盖加热对比法     

纳米结构C_(60)薄膜对TiOPc电荷分离的增强作用

研究了具有纳米结构的C60层对TiOPc电荷分离的影响。以ITO为基底,真空蒸镀TiOPc薄膜,再以真空蒸镀和电泳法分别制备C60薄膜,通过扫描电镜(SEM)观察到电泳法制备的C60电荷分离层表面具有约200μm的微结构。实验表明:TiOPc/C60器件在近红外区间的光电响应曲线与TiOPc的吸收光谱曲线趋向一致,且光伏响应随功率增加呈线性增强;具有纳米结构C60电荷分离界面的器件光电响应比具有平整C60界面的器件强60%左右,其原因在于作为电荷分离区域的TiOPc和纳米结构C60层接触的面积更大,提高了电荷分离的效率。     

电极性质对异质结OLED光电性能的影响

采用空热蒸发技术制备了结构为ITO/N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine (NPB)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminum (AlQ)/Mg-Ag/Al的异质结结构有机电致发光器件(OLED),研究了ITO电极性质对OLED器件启亮电压、驱动电压、发光亮度和发光效率等光电性能的影响.实验结果表明,电极性质显著影响OLED器件性能,优化的电极性质通过改善电极与有机层之间的界面特性,从而改善器件的光学和电学性能.     

射频磁控溅射ITO薄膜对TOPCon太阳电池光电性能的影响

通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响.测试多晶Si对称结构沉积ITO薄膜前后及退火后的隐开路电压和反向饱和电流密度等参数,研究ITO薄膜对n型晶硅...     

低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用

空穴注入层(HIL)在量子点发光二极管(QLEDs)中有重要作用。使用低温溶液法制作了MoOx纳米颗粒,将其在氧化铟锡(ITO)玻璃上旋涂成膜后使用不同温度进行退火处理,并作为空穴注入层进行量子点发光二极管的制作。实验结果表明,氧化钼薄膜有着与ITO玻璃阳极和Poly-TPD空穴传输层匹配的能级,可用作量子点发光二极管的空穴注入层,而使用经100 ℃退火处理后的MoOx薄膜作为空穴注入层的器件性能最佳：器件启亮电压为2.5 V,最高外量子效率为11.6%,在偏压为10 V时,器件的最高亮度达到27 100 cd/m2。     

干冰微粒喷射法清洗ITO玻璃及其对有机电致发光器件性能的影响

采用干冰微粒喷射法对ITO玻璃表面进行了清洁处理,并与浸泡式低频超声波湿法清洗的ITO玻璃进行了对比测量,结果表明:干冰微粒喷射法处理后,ITO薄膜表面的接触角减小,表面污染物颗粒数量下降,ITO薄膜表面上碳的含量较之未处理时降低了48.5%,锡、铟的含量分别增加了533.33%和267.57%,说明干冰微粒法对ITO薄膜表面的有机污染物和杂质颗粒的清洗效果超过了超声波湿法。此后,制备了干冰微粒法清洗ITO阳极的有机电致发光器件(OLED)器件,以及结构相同但ITO电极是用超声波湿法清洗的OLED器件,对这两种器件的参数进行了测量,其结果表明:干冰微粒喷射法清洗器件的启亮电压、亮度和电流效率与超声波湿法清洗的相比较均有所改善。     

电气和电子工程用材料科学

TB43 96040022纯净化真空弧沉积非晶硅薄膜/邹积岩,程仲元,杨磊(华中理工大学电力工程系)11微细加工技术一1996,(1)一53一59 文章阐述了真空电弧沉积的各种净化方法,并讨论了纯净化的真空电弧在非晶硅膜层沉积方面的应一2一用,包括在制造太阳能电池方面的应用前景.图4参5(许)理过程中的界面扩散反应机理,界面反应动力学过程及界面反应产物.图9参8(许)TB43 96040023在柔性基上真空蒸镀rro膜/程知群(合肥工业大学)lj光电子技术一1 996,]6(1)一sx~54 研究了在柔性基上真空蒸镀ITO薄膜的实验装置和工艺参数.给出了最佳工艺参数和实验结果.图3…