| 基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性 |
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| 引用本文： | 闾锦,陈裕斌,左正,施毅,濮林,郑有炓.基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性[J].半导体学报,2008,29(4). |
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| 作者姓名： | 闾锦 陈裕斌 左正 施毅 濮林 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,固体微结构国家实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.
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| 关 键 词： | 异质纳米晶 非易失浮栅存储器 电容 电压特性 自组织生长 选择化学刻蚀 |
Charge Storage Characteristics of Nonvolatile Floating-Gate Memory Based on Gradual Ge1-xSix/Si Heteronanocrystals |
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| Lü Jin,Chen Yubin,Zuo Zheng,Shi Yi,Pu Lin,Zheng Youdou.Charge Storage Characteristics of Nonvolatile Floating-Gate Memory Based on Gradual Ge1-xSix/Si Heteronanocrystals[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(4). |
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| Authors: | Lü Jin Chen Yubin Zuo Zheng Shi Yi Pu Lin Zheng Youdou |
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