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Thin films formed by the interfacial reaction of Co/Si (111) have been analysed by a X-ray diffractometer and Read camera. The error of Read camera was effectively decreased by comparing the diffraction patterns to be analysed with a reference pattern. The phase structures, lattice parameters and texture features of Co, Co2Si, CoSi and CoSi2 films and multi-films have been defermined. The evolution of diffractometer spectra for a series of samples annealed at 430℃ with different time demonstrated the competitive growth of Co2Si and CoSi layers in the interface region. This is the first time to certify this process by X-ray. 相似文献
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用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66. 相似文献
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本文报道了用I-I'法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置.两种方法的结果符合得很好.贵金属在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置处于导带以下0.9±0.05eV处,相当于同样数值的势垒高度,并与缺陷模型中的施主能级的位置相对应. 相似文献
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在光折变多量子阱中,通过Franz-Keldysh效应可写入电吸收栅和电折变栅。基于二波耦合理论,精确求解了由这两种光栅引起的光强耦合方程,近似计算了Raman-Nath高阶衍射光强。 相似文献
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本文用耗尽层近似研究了用界面异型掺杂层提高肖特基二极管势垒的方法.给出了势垒高度作为掺杂层参数的函数的公式和相应的数值计算曲线.同时也给出了用C-V测量法得到的这种二极管的势垒的公式和它的物理意义.理论计算结果与用分子束外延法制造的Al-p-n-GaAs二极管的测量结果符合得较好. 相似文献
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对真空蒸镀在Si(111)衬底上的钻膜及退火后在CO/Si界面形成的钻硅化物薄膜进行了研究。所用仪器为X光衍射仪和改进型Read相机。测定了Co、Co_2Si、CoSi及CoSi_2薄膜的晶格常数和织构,并对Co/Si界面在低温退火(<500℃)过程中硅化物的演变进行了分析。证明:在金属钴耗尽前Co_2Si和CoSi共同生长,金属钴耗尽后Co_2Si逐渐向CoSi转化。通过与RBS谱的对比证实了这一结果的可靠性。 相似文献
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应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。 相似文献
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