钴硅化物薄膜的X光分析

对真空蒸镀在Si(111)衬底上的钻膜及退火后在CO/Si界面形成的钻硅化物薄膜进行了研究。所用仪器为X光衍射仪和改进型Read相机。测定了Co、Co_2Si、CoSi及CoSi_2薄膜的晶格常数和织构,并对Co/Si界面在低温退火(<500℃)过程中硅化物的演变进行了分析。证明:在金属钴耗尽前Co_2Si和CoSi共同生长,金属钴耗尽后Co_2Si逐渐向CoSi转化。通过与RBS谱的对比证实了这一结果的可靠性。