InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响

系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103 meV的InAs量子点的发光特性。这一结果对实现高T_0的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义。     

Microstructure Studies of GaInAsSb/GaSb Heterostructure

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应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究

利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。     

分子辅助制备富含高价态Co3+的三维蜂窝状钴硫化物网络结构用于高性能固态不对称超级电容器

过渡金属氧化态调控工程是一种很有前景的改善电极材料的氧化还原活性、增加活性位点的策略.本文提出了一种简单的三乙醇胺辅助自模板法,制备了一种由交错钴硫化物纳米片(Co_xS_y-T NSs)组装而成的独特的三维蜂窝状网络结构.有趣的是,我们首次发现在该体系中,三乙醇胺可以有效地增加目标产物中的高价态Co³⁺的比例.Co_xS_y-T NSs电极具有高含量的Co³⁺和三维网络结构,使得其在5 A g^-1的电流密度下表现出351 mA h g^-1(2635 F g^-1)的最大比容量和优异的循环稳定性.此外,由Co_xS_y-T NSs和活性炭(AC)电极组装的固态不对称超级电容器在0.81 kW kg^-1功率密度下展现出81.62 W h kg^-1的高能量密度和卓越的长周期循环稳定性,7000次循环后仍有96.2%的容量保持率.该结果证明同时调控高价态的金属物种并构筑三维网络结构是一种简单而有效的制备用于能源存储与转换的高活性电极材料的策略.     

基于ZnO可饱和吸收体的超快激光器

ZnO是一种优异的可饱和吸收体(SA),然而它在近红外波段的光吸收性能较弱,限制了其在超快光子学领域的进一步应用.首先采用水浴法制备了 ZnO微球粉末,旋涂到金镜衬底上制备成ZnO-SA,再利用磁控溅射法及热退火在ZnO-SA表面修饰了金纳米颗粒,制备了一种新型的金核壳结构的ZnO-SA.由于金纳米颗粒的表面等离子体吸收效应,将ZnO-SA的调制深度提升至4.07％,非饱和损耗降低至24％.使用这种新型的ZnO-SA成功地提升了调Q激光器的输出特性,同时也构建了稳定的波长为1.55 pm环形腔掺铒光纤锁模激光器,最大平均输出功率为2.67mW,重复频率为3.53 MHz.研究结果表明,这种具有金纳米颗粒修饰的ZnO-SA在制备高性能锁模激光器方面具有巨大的应用潜力.     

基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器

锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用.由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力.然而,生长发光中心波长(λ)为1550 nm的高性能QD-SESAM仍然十分困难.采用分子束外延(MBE)生长制备了1550 nm GaAs基InAs QD-SESAM,通过在SESAM上表面生长厚度为λ/4的SiO2层,将QD-SESAM的调制深度提升至1.4％.使用这种新型的QD-SESAM优化了耦合效率,成功地构建了稳定的环形腔被动锁模掺铒光纤激光器,其斜率效率为2.2％,脉冲宽度为2 ps,重复频率为16.5 MHz,最大输出功率约为4.1 mW.结果 表明,这种带有λ/4厚度SiO2层的QD-SESAM在制备高性能锁模激光器方面具有非常大的应用潜力.     

扫描透射电镜对GaInAsSb/GaSb异质结截面的研究

报道了用STEM (扫描透射电子显微镜 )对GaInAsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明 ,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时 ,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错 ,这些缺陷是对应力的一种释放形式 ,包括 6 0°位错、90°位错和堆垛层错 ,并且发现只有 90°位错才会在外延层表面产生脊。