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| 贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定 | |
| 引用本文： | 潘士宏,Nathan Newman,T.Kendelewicz,W.G.Petro.贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定[J].半导体学报,1985,6(3):307-310. |
| 作者姓名： | 潘士宏 Nathan Newman T.Kendelewicz W.G.Petro |
| 作者单位： | 南开大学物理系，美国stanford大学，美国stanford大学，美国stanford大学 天津 |
| 摘 要： | 本文报道了用I-I＇法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置.两种方法的结果符合得很好.贵金属在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置处于导带以下0.9±0.05eV处,相当于同样数值的势垒高度,并与缺陷模型中的施主能级的位置相对应. |
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