SiGe HBT传输电流模型研究

基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGe HBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGe HBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.     

基于悬浮张应变锗纳米薄膜的电致发光增强

基于准直接带隙的材料特性,锗材料已经成为硅基光电集成的研究热点。本文利用高应力氮化硅薄膜将应力引入锗纳米薄膜中,并成功制备出张应变锗纳米薄膜发光二极管。实验结果显示,制备出的发光二极管在室温下的电致发光有红移现象,这是由于应力作用下的锗材料能带变化引起的。另外,当在锗纳米薄膜中引入的应变达到1.92%时,所制备的发光二极管在1876nm峰值波长处的发光强度显著增加,证明了张应变锗纳米薄膜的直接带隙复合发光,进一步证实了应变锗材料在硅基光电集成应用上的广阔前景。     

Si-SiGe材料三维CMOS集成电路技术研究

根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这样,电路的本征性能将由Si nMOS决定.使用MEDICI软件对Si-SiGe材料三维CMOS器件及Si-SiGe三维CMOS反相器的电学特性分别进行了模拟分析.模拟结果表明,与Si-Si三维CMOS结构相比,文中提出的Si-SiGe材料三维CMOS集成电路结构具有明显的速度优势.     

应变Si1-xGex（100）电子散射几率

基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2、f3型谷间声子散射几率显著降低.Si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关.     

溶胶-凝胶法制备Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜及GaNMIS结构C-V特性

采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaN MIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.     

溶胶-凝胶法制备Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜及GaNMIS结构C-V特性

采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaN MIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.     

Averaged hole mobility model of biaxially strained Si

We aim to establish a model of the averaged hole mobility of strained Si grown on（001）,（101）,and （111） relaxed Si_1-xGe_x substrates.The results obtained from our calculation show that their hole mobility values corresponding to strained Si（001）,（101） and（111） increase by at most about three,two and one times,respectively, in comparison with the unstrained Si.The results can provide a valuable reference to the understanding and design of strained Si-based device physics.     

SiGe HBT传输电流模型研究

基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGe HBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGe HBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.     

供热网温度跟随控制的算法与实现

提出了一种供热网温度跟随控制算法．通过对室外环境温度变化方向的实时分析预测,结合动态阈值学习的结果,及时修正供热温度和压力的调控策略,从而达到供热温度跟随室外环境温度变化而自动升降的目的．同时给出了实现算法的计算机控制系统的结构设计．工程实践表明,该算法能有效地调控供热网的供热温度,提高供热质量,降低能耗．     

p+多晶Si1-xGex功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究

为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p 多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P 多晶Si1-xGex功函数W=0.85 eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215 V和VTn=O.205 V.为此类器件的优化设计和制备提供了理论依据.