| 应变Si1-xGex（100）电子散射几率 |
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| 引用本文： | 赵丽霞,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇.应变Si1-xGex（100）电子散射几率[J].西安电子科技大学学报,2012,39(3):86-89,105. |
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| 作者姓名： | 赵丽霞 张鹤鸣 宣荣喜 胡辉勇 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家部委资助项目(51308040203,6139801);中央高校基本科研业务费资助项目(72105499,72104089);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2010JQ8008) |
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| 摘 要： | 基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2、f3型谷间声子散射几率显著降低.Si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关.
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| 关 键 词： | 应变Si1-xGex 电子 散射 |
| 收稿时间： | 2011-03-03 |
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