基于特征函数的空间点光强的快速算法

讨论了部分相干成像系统空间点光强的一种近似算法,即通过特征值分解的方法将部分相干成像系统的Hopkins公式展开为N阶相干系统之和的SOCS算法,并提出了优化的N的取值方案.该方案充分考虑了光刻系统参数对N的取值影响.实验结果证明,采用新的N取值方案的近似算法是一种高精度的算法.     

异步电路的设计方法及其应用

由于异步电路不仅具有高性能、低功耗、模块性等优势,而且有望解决微系统芯片中存在的模块互联难题,并被越来越多地应用于芯片的设计中,因而近年来引起了人们的高度重视.文章对研究较多的Huffman电路、延时无关电路、速度无关电路以及定时电路等的设计风格及其工具进行了对比分析,并提出了异步电路的发展趋势及其应用领域.     

OCP在基于平台SoC设计方法学中的应用

当前,基于平台的系统芯片(SoC)设计已成为复杂SoC设计的一种高效的解决方法.针对接口标准多样性带来的SoC集成问题,采用了开放核协议(OCP)通用标准接口与平台设计相结合的方法,基于Simulink的多处理器系统芯片(MPSoC)设计流程平台,实现了对数字多点微波系统(DMS)通信机制及其SoC实例的OCP接口应用.研究结果表明,在三核SoC平台中,此设计方法在很大程度上扩展了SoC平台的灵活可配性,加快了SoC开发周期.     

一种基于遗传算法的VDSM IC电源网格动态IR-drop分析新方法

提出了一种用于超深亚微米集成电路电源网格IR-drop验证的新方法.该方法以遗传算法为基础,与已有的分析方法相比,该方法兼具静态IR-drop分析法和动态IR-drop分析法的优点,适用于包含大型组合模块的超大规模集成电路,可主动寻找电路中最大IR-drop.通过对ISCAS85电路实现的验证,发现了静态分析法不能发现的芯片边缘IR-drop问题.实验结果验证了该方法的正确性与有效性.     

用于成品率分析芯片的LVS方法

研究成品率分析芯片的特点和设计流程,提出适用的LVS方法。该方法结合传统的LVS及形式验证,能够解决成品率分析芯片中违反设计规则、版图和电路图不匹配等特殊结构的验证问题。将该方法与传统验证流程相融合,用于成品率分析芯片的设计和验证。实验结果证明,成品率分析芯片验证流程具有正确性和稳定性。     

用于光刻系统仿真的多边形处理算法

为提高光刻仿真效率,通过对光刻原理进行研究,提出了2种多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,设计的具体光学参数为:光源波长为193nm,数值孔径为0.3~0.8,部分相干系数可调范围为0.2~0.8,可一次性仿真1μm×1μm到10μm×10μm范围内的45 nm~0.18μm工艺的复杂版图,并通过多次实验进行验证。实验结果表明:原版图图像的边缘细节得到保留,且该算法有效地减少了光刻模拟的计算复杂度与计算时间,整体效率提升20%以上,为当前智能传感器系统芯片的制造节省了宝贵时间。     

用于射频系统的10 MS/s 10位SAR A/D转换器

设计了一种用于射频系统的低功耗、中速中精度差分输入逐次逼近型(SAR)A/D转换器。采样完成后采用下极板对接的逻辑算法,10位SAR A/D转换器只需9位DAC即可满足其精度要求。DAC阵列采用分段电容结构,节省了芯片面积。比较器采用前置运算放大器加锁存器的结构,达到了同时兼顾速度和精度的要求。该A/D转换器芯片采用GSMC 0.13 μm 1P7M CMOS工艺制造,其核心电路尺寸为500 μm×360 μm,采用1.2 V的单电源供电。测试结果表明,当采样频率为10 MS/s,输入信号频率为2 MHz时,该SAR A/D转换器达到8.45位的有效精度,总功耗为2.17 mW;当采样频率为5 MS/s,输入信号频率为1 MHz时,该SAR A/D转换器达到8.75位的有效精度,总功耗为2.07 mW。     

一种改进的测试芯片的设计方法

集成电路制造技术的不断进步,给缺陷定位带来巨大的挑战。传统的测试芯片和现有的可寻址的方法都无法满足当前缺陷快速准确定位的要求。本文提出了一种改进的可寻址测试芯片的设计方法:每个测试结构采用四端法连接以及单一的NMOS晶体管作为开关电路,以保证电性测量结果精确、电路设计的简洁以及面积利用率的进一步优化;并利用开关电路增加少量测试引脚,以方便物理缺陷定位的进行。该方法在110nm的CMOS工艺中得到应用。经过实际生产验证,实现了金属层断路等缺陷的定位,有效发现了该工艺中失效缺陷的成因,从而帮助实际的成品率实现快速提升。     

一种改进的考虑划痕的关键面积计算模型和方法

关键面积计算对于集成电路成品率的准确预测有着重要的意义。为了得到精确的结果,关键面积计算需要根据缺陷形状的不同选择适当的缺陷模型。针对化学机械研磨引入的划痕,提出了一种线性缺陷模型来计算其关键面积。在此基础上进一步考虑了线端效应的影响,对考虑划痕的关键面积计算模型提出了改进。实验结果表明改进后模型的计算结果更为准确。     

基于光刻模型的光学邻近校正切分优化方法

在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方.为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法.采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案.实验结果表明,该方法能获得稳定的配方调试时间,且与参考配方结果相比,具有较好的光学邻近校正精度,可使边位置误差平均降低5％.