An improved shape shifting method of critical area extraction

As die size and complexity increase, accurate and efficient extraction of the critical area is essential for yield prediction. Aiming at eliminating the potential integration errors of the traditional shape shifting method, an improved shape shifting method is proposed for Manhattan layouts. By mathematical analyses of the relevance of critical areas to defect sizes, the critical area for all defect sizes is modeled as a piecewise quadratic polynomial function of defect size, which can be obtained by extracting critical area for some certain defect sizes. Because the improved method calculates critical areas for all defect sizes instead of several discrete values with traditional shape shifting method, it eliminates the integration error of the average critical area. Experiments on industrial layouts show that the improved shape shifting method can improve the accuracy of the average critical area calculation by 24.3% or reduce about 59.7% computational expense compared with the traditional method.     

一种改进的考虑划痕的关键面积计算模型和方法

关键面积计算对于集成电路成品率的准确预测有着重要的意义。为了得到精确的结果,关键面积计算需要根据缺陷形状的不同选择适当的缺陷模型。针对化学机械研磨引入的划痕,提出了一种线性缺陷模型来计算其关键面积。在此基础上进一步考虑了线端效应的影响,对考虑划痕的关键面积计算模型提出了改进。实验结果表明改进后模型的计算结果更为准确。     

广蓄电站水工高压隧洞设计施工的若干问题

本文根据广州抽水蓄能电站建成的高水头、大直径水工隧洞的工程实践,回顾总结设计施工的几个问题,如设计准则、衬砌〈限裂〉设计、外水压力、钢筋混凝土衬砌岔管、斜井衬砌滑模施工、衬砌分缝和止水、引水系统充水和放空操作等。     

基于模块化单元的测试结构阵列设计及其应用

针对纳米级半导体制造工艺中传统测试芯片掩模面积利用率低的问题,提出一种基于模块化单元的可扩展成品率测试结构阵列设计方法.基于45nm CMOS制造工艺分别实现32×32和64×64 2个大规模的测试结构阵列,模块化单元的有效面积利用率达79.31%和70.8%;流片后通过测试数据的分析能够发现通孔缺失、通孔尺寸变大以及大尺寸缺陷导致金属缺失等工艺缺陷问题.试验结果同时表明,该方法将传输门器件和测试结构组合成模块化单元;不仅能够实现对测试结构的四端测量,保证测试结果的正确性,并且能够减小成品率测试芯片的掩模面积.     

一种快速计算和优化关键面积提高成品率的方法

成品率驱动设计(DFY)已经成为集成电路设计的必然趋势。基于随机缺陷的DFY设计的主要目标是通过优化版图的关键面积来提高成品率。针对版图局部修改后关键面积的重新计算问题,提出了一种快速计算关键面积的方法,不仅能快速比较各种修改方案的优劣,还能利用计算速度的优势,快速得到最优的设计修改方案,极大的降低了DFY设计的计算时间成本,提高集成电路产品的成品率。