| 一种改进的考虑划痕的关键面积计算模型和方法 |
| |
| 引用本文： | 叶翼,朱椒娇,张波,史峥,严晓浪.一种改进的考虑划痕的关键面积计算模型和方法[J].电路与系统学报,2013,18(2):353-358. |
| |
| 作者姓名： | 叶翼 朱椒娇 张波 史峥 严晓浪 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学电气学院超大规模集成电路设计研究所,浙江杭州,310027 |
| |
| 基金项目： | 国家"十一五"高端通用芯片科技重大专项基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 关键面积计算对于集成电路成品率的准确预测有着重要的意义。为了得到精确的结果,关键面积计算需要根据缺陷形状的不同选择适当的缺陷模型。针对化学机械研磨引入的划痕,提出了一种线性缺陷模型来计算其关键面积。在此基础上进一步考虑了线端效应的影响,对考虑划痕的关键面积计算模型提出了改进。实验结果表明改进后模型的计算结果更为准确。
|
| 关 键 词： | 化学机械研磨 划痕 线性缺陷模型 关键面积 成品率 |
An improved scratch-concerned critical area extraction method for IC manufacturing |
| |
| Affiliation: | YE Yi,ZHU Jiao-jiao,ZHANG Bo,SHI zheng(Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CMP scratch linear defect model critical area yield |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
