16×10.7 Gb/s 1 600 km普通单模光纤环路传输研究

利用双折射光纤环设计了可调功率均衡滤波器,实现了16路16×10.7 Gb/s NRZ码、超过1 600 km常规单模光纤(SMF)的系统传输及性能测试,信道误码率均小于3×10-5(FEC纠错前).数值仿真并实验研究了对单环长度240 km、损耗超过80 dB的环路16路10.7 Gb/s波分复用(WDM)系统传输的优化.传输7圈后,功率均衡器降低了信道功率不平坦度超过5 dBm.     

4×622Mb／sWDM40km光通信系统实验

本文完成了我国第一个４×６２２Ｍｂ／ｓ波分复用（ＷＤＭ）光通信系统实验，使单根光纤线路通信容量达２．４Ｇｂ／ｓ。该系统以ＤＦＢ－ＬＤ为光源，工作波长在１．５５μｍ附近，ＬＤ的工作频率稳定度优于±１５０ＭＨｚ，信道间隔２ｎｍ左右，无中继传输距离为４３．６ｋｍ，采用Ｆ－Ｐ调谐光滤波器作为解复用器，接收机灵敏度达－３０ｄＢｍ。     

数字分量电视图像的光纤传输实验

介绍了光纤传输数字电视的意义，电视信号分量数字化的标准和优点。利用自行研制的２７０Ｍｂ／ｓ光发射机和光接收机，建立了分量数字电视信号的光纤传输系统，直接传输了１００ｋｍ光纤，系统传输无误码，传输后图像质量不变。光接收机灵敏度达－２９．２４ｄＢｍ，动态范围为１３．５ｄＢ。无压缩电视图像的传输对于远程医疗和演播室间转输节目等有非常实际的意义。     

超快平面显微成像技术

快速成像技术在很多领域都有着重要的应用,本文基于超短光脉冲的时-空-频映射原理,提出并实现了一种超快平面显微成像技术。利用色散傅里叶变换及空间色散器件把光脉冲的宽带频谱信息分别映射到时域和空域,利用高速光电探测器进行串行单像素成像,最终获得了帧速率为20.9 MHz,空间分辨率为22 μm和55 μm的一维及二维平面成像系统。在实验中用标准的分辨率目标板验证了成像效果。该技术为超快成像提供了一种有效手段,并将应用于高速平面检测等多个领域。     

LED/LD P-I、V-I和光谱特性计算机辅助测试系统

将智能化的光功率计、数字电压表等测量仪表通过IEEE488母线与AppleⅡ微型计算机相连,组成了LED/LD器件特性的计算机辅助测试系统。它能够自动测量器件的P-I、V-I和光谱特性,然后用绘图仪画出上述各特性定标的曲线并在图上标出特定电流下P和V的数值以及器件的峰值波长、谱线宽度等特性参数。与人工逐点测试或x-y记录仪测试相比,测试的速度快、精度高、重复性好,做到了由计算机将测量、数据采集和处理、特性曲线图表的制作等项工作一次完成。     

单片机控制实现的光纤环路传输实验

设计了以80C552单片微机为核心、接口和爱德万Q8384误码测试仪匹配的环路控制器，实现了信号注入时间、环长、传输环数和测试控制的动态可调。以此环路控制器为基础，搭建了一个4路CSRZ码、单环传输光纤长度为240km的10Gb／s的WDM光纤环路传输系统，进行了传输560km功率代价小于1dBm的传输实验。以此传输系统为对象，分析研究了环路控制器各个控制信号误差对环路系统性能的影响。结果发现，当测试时间对信号前端留出足够余量后，可以有效避免系统瞬态效应对测试的影响。     

40Gb/s CSRZ-RZ信号波长与调制格式转换的研究

通过利用高非线性光子晶体光纤的交叉偏振调制效应,在60m的高非线性光子晶体光纤中实现了40Gb/s的载波抑制归零(carrier-suppressed return-to-zero CSRZ)信号的波长变换和载波抑制归零码(CSRZ)到归零码(return-to-zero RZ)的调制格式变换,并通过理论计算分析了走离...     

用相位模板法制备紫外光写入光纤布拉格光栅的研究

利用相位模板，在２４８ｎｍ ＫｒＦ准分子激光器光束的照射下，在国产高掺锗单模光纤中制作出了中波长为１５４７ｎｍ，峰值反射率约为１０％，带宽为０．６４ｎｍ的调制光纤由拉格光栅。     

外腔半导体激光器宽带调谐特性

本文分析了强反馈外腔半导体激光器的宽带频率调谐特性,得到了最大频率调谐范围公式,利用1.5μm外腔半导体激光器实现了1.45μm至1.57μm范围内的波长宽带调谐(120nm调谐范围)。     

Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用

采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。