OLED器件光电性能集成测试系统研制

为方便对OLED器件的各项性能进行测试,研发了一种OLED器件光电性能集成测试系统,实现了在同一个软件下的OLED器件的电压、电流、亮度、光谱、色坐标和寿命等特性的集成测试。介绍了计算机与各测试设备的通信方法,通过计算机控制测量仪器对OLED器件进行测量。使用了Microsoft Visual 2005开发工具,利用MFC(Microsoft Foundation Classes)开发出了图形用户界面下的应用程序。利用TeeChart(西班牙Steema公司研发的图表控件)控件实现了OLED器件性能特性曲线的实时动态显示,并能够对不同器件的测试结果进行性能曲线的对比。编写了色坐标助手软件,实现对测试软件测试的光谱数据的分析显示功能。     

压电器件阻抗测试系统的研制

基于压电器件的等效电路模型,利用导纳圆理论图测量压电器件阻抗特性参数及过零检测相位差测量原理,构建了一套完整的压电器件性能参数阻抗测试系统。通过单片机控制信号产生幅值固定、频率可变的正弦信号,经功率放大后驱动压电器件产生超声高频振动,并采集压电器件两端的电压、电流及相位差信号,通过串口传给上位机。上位机采用基于Labview人机交互界面,实现压电器件阻抗特性参数计算和图形显示。实验结果表明,本测试系统能测量压电器件各主要相关参数,并动态显示阻抗特性曲线,可用于压电器件的参数测试与性能评估。     

压电器件阻抗测试系统的研制

基于压电器件的等效电路模型,利用导纳圆理论图测量压电器件阻抗特性参数及过零检测相位差测量原理,构建了一套完整的压电器件性能参数阻抗测试系统。通过单片机控制信号产生幅值固定、频率可变的正弦信号,经功率放大后驱动压电器件产生超声高频振动,并采集压电器件两端的电压、电流及相位差信号,通过串口传给上位机。上位机采用基于Labview人机交互界面,实现压电器件阻抗特性参数计算和图形显示。实验结果表明,本测试系统能测量压电器件各主要相关参数,并动态显示阻抗特性曲线,可用于压电器件的参数测试与性能评估。     

碳纳米管场发射显示器特性测试方法的研讨

通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器样管。改变常用的驱动电源电压测试为器件电压测试,得到非常理想的伏安特性曲线和发光特性曲线。从测试结果分析可知,直接测量碳纳米管场发射显示器的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。从电子场发射的角度看,实际的碳纳米管场发射伏安特性曲线应比测试的伏安曲线更陡。     

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件表征系统研制

介绍量子阱红外探测器件（QWIPs-Quantum Well Infrared Photodetectors)以及器件的基本性能表征测量系统的研制。利用通用接口总线GPIB（General Purpose Interface Bus),将多台测试仪器与微机连接。分别用LABVIEW和LABWINDOWS／CVI两种开发平台进行程序编写,遥控测量仪器,控制微机自动采集和处理数据实时绘制曲线,对本项工作自行研制的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件进行了基本性能的检测,实现器件主要特性－I－V曲线的自动测量。     

纳米结构器件材料结构参数的新测试方法

使用Monte Carlo模拟方法和器件振荡特性测试研究了异质谷间转移电子器件的直流隧穿特性和射频振荡性能与器件结构参数之间的关系.理论计算结果与实验数据间吻合得很好.在此基础上提出了通过电性能测试来分析器件结构参数的新方法.使用逐层化学腐蚀C-V测试测定了有源层的掺杂分布.通过低场电阻测量确定了量子阱的宽度.最后从器件振荡特性与Monte Carlo模拟曲线的对照中得出了掺杂接口的浓度.由此建立了器件结构参数的一套完整的测试分析方法.使用这套测试监控方法,已成功地研制出MBE和MOCVD工艺的高效、大功率振荡器件.     

GaN HEMT器件热特性的电学测试法

基于JEDEC颁布的结到壳热阻瞬态热测试界面法,对测试GaN HEMT器件热特性的电学法进行了研究.通过合理的测试电路设计,有效解决了GaN HEMT器件电学法测试中的栅极保护问题和自激问题,实现了GaN HEMT器件的界面热阻测量.根据测得的热阻-热容结构函数曲线可知,GaN HEMT器件结到壳热阻主要由金锡焊接工艺和管壳热特性决定.结合结构函数分析,对金锡焊接部分热阻和管壳热阻进行排序可剔除有工艺缺陷的器件.与红外热成像法的结温测试结果进行对比分析,证实了电学法测试结果的准确性.     

纳米结构器件材料结构参数的新测试方法

使用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟方法和器件振荡特性测试研究了异质谷间转移电子器件的直流隧穿特性和射频振荡性能与器件结构参数之间的关系．理论计算结果与实验数据间吻合得很好．在此基础上提出了通过电性能测试来分析器件结构参数的新方法．使用逐层化学腐蚀Ｃ－Ｖ测试测定了有源层的掺杂分布．通过低场电阻测量确定了量子阱的宽度．最后从器件振荡特性与ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟曲线的对照中得出了掺杂接口的浓度．由此建立了器件结构参数的一套完整的测试分析方法．使用这套测试监控方法,已成功地研制出ＭＢＥ和ＭＯＣＶＤ工艺的高效、大功率振     

基于脉冲式U-I 特性的高功率型LED 热学特性测试

热学特性是影响功率型LED光学和电学特性的主要因素之一,设计了一套基于脉冲式U-I特性的功率型LED热学特性测试系统,可以测试在不同结温下LED工作电流与正向电压的关系,从而获得LED的热学特性参数。该系统通过产生窄脉冲电流来驱动LED,对其峰值时的电压电流进行采样,同时控制和采集LED的热沉温度,从而获得不同温度下LED的U-I特性曲线。与其他U-I测试系统相比,文中采用了窄脉冲(1 s)工作电流,LED器件PN结区处于发热与散热的交替过程,不会造成大的热积累,大大提高了测量精度。实验中,对某功率型LED进行了测试,获得了该器件的电压、电流和结温特性曲线,并利用B样条建立该器件的U-I-T模型,进而实现了对其结温的实时在线检测。     

光敏管特性的动态显示方法与实现技术

文中介绍了利用示波器显示光敏管的光电特性、伏安特性曲线的基本原理，提供了实施测量、显示电路的具体方法。采用这种方法不仅可以十分方便地得到光敏管的动态特性曲线，而且也适应光电池、光敏电阻等光电检测器件的光电、伏发牧场考曲线的测量与显示。     

集成电路ESD设计验证技术

传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具.分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数.     

反射式液晶器件振幅调制特性的研究

研究了反射式液晶器件(RLCOS)的振幅调制特性.采用2×2的琼斯矩阵计算仿真,从理论上分析了它的振幅调制特性.实验采用He Ne激光为光源,将反射式液晶器件显示器作为液晶空间光调制器,用计算机和相关的电路系统驱动控制,并用CCD采样数据,测试了1024×768反射式液晶器件显示器的振幅调制特性.与未改形光束剖面相比,在特定的入射、出射偏振光配制下,可以用反射式液晶器件显示器来做振幅调制器.     

基于LabVIEW的光电器件I-V测试系统

基于虚拟仪器技术,利用美国国家仪器(NI)公司的PCI-GPIB卡、LabVIEW软件和美国Keithley公司的6517静电计/高阻计等设备,建立了一套光电器件(太阳能电池、薄膜晶体管等)电流电压(I-V)特性测试平台,对光电器件的性能参数进行测试。该套测试系统通过LabVIEW程序控制Keithley6517,并通过GPIB卡实现对电压、电流数据的采集、显示、存储、分析等功能,根据测得的数据绘制出I-V特性曲线,根据不同的器件可以给出相应参数。以太阳能电池为例,计算出了太阳能电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、最大功率(Pm)、填充因子(FF)和转换效率(PCE)。校正对比测试结果表明,该系统效率的最大误差为0.18%。     

用于纳米技术研究的免费测量软件

纳米技术工具包专门设计用于纳米技术研究常见测试的测量软件工具,兼容吉时利的4200-SCS型半导体特性系统,可以帮助究人员进行与纳米技术相关的精确而且通常十分复杂的电气测量。该纳米技术工具包通过提供在纳米器件测试中用经常使用的常见程序以简化众多测量任务。该纳米技术工具包包括了多个图标,它们分别代表4200-SCS型测试基于纳米碳管的晶体管、生物元件、分子晶体管、分子导线、纳米线以及纳米细胞的测量程序。例如,一些测试将测定纳米碳管和分子晶体管的I-V(电流-电压)曲线,而另外一些测试则在纳米线上进行高阻抗/低阻抗测量的电…     

大功率660 nm半导体激光器的电流电压特性

利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的I-V曲线不再符合理想二极管I-V特性方程。通过数据拟合,得到半导体激光器的串联电阻约为0.5Ω。测试中还发现了两种异常I-V曲线,分别源于器件并联电阻及寄生二极管的影响。对每种I-V曲线建立了电路模型,并推导了I-V特性方程。分析认为制作过程中的金属工艺、烧结工艺和Zn扩散工艺等都会影响半导体激光器的电流分布及I-V特性。I-V特性测试可以用于半导体激光器的工艺监控与失效分析等。     

基于对数转换器的暗电流测试系统

文章提出一种使用对数转换器进行宽量程、高精度暗电流测试的方案,分析了电流计的通用模型,并开发出一套测试系统,测试灵敏度可达0.1pA,远高于目前国内能够提供的测试仪表.仪器自带偏压输出,除用于光电探测器暗电流的测试、微弱光功率测量外,还可以测量器件的击穿电压、材料的绝缘电阻等.该仪器亦能通过串口与计算机组成功能更强的测试系统.     

光纤通信用GaAs-GaAlAs DH LED的高频调制特性

分析了器件的两种高频调制特性,给出了测量结果——数据和曲线。讨论了器件在不同信号调制下的P-I、V-I曲线线性范围和调制带宽,由此确定器件的合适工作点。     

数字电位器在液晶显示模块温度补偿电路中的应用

液晶显示器件独具的低压、微功耗特性使它可以直接与大规模集成电路结合开发出一系列具有便携显示功能的产品,再加之其显示信息量大和接口方便等优点,现在已被广泛应用于计算机和数字式仪表等领域,成为测量结果显示和人机对话的重要工具.     

基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法

提出了一种基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法.将表征静态特性的核心单元模型优化为分段模型,以使其能同时准确表征高、低栅压下器件的静态特性.同时,在模型分段处进行线性插值以保证模型函数的连续性,基于器件漏源支路元器件参数对拟合数据进行修正以提高模型表征参数的提取准确度.此外,为提高器件的动态模型准确度,增加了栅漏结电容模型函数的分段点,并给出了分段点选择方法.将优化前后栅漏结电容模型函数和静态仿真结果与测试获得的电容曲线、转移曲线和输出曲线进行对比,曲线匹配度较高,表明提出的优化方法显著提高了动态和静态模型的准确性.最后,搭建了SiC MOSFET开关特性测试平台,通过动态开关实验验证了模型优化方法的准确性.     

10.6μm斯塔克效应稳频实验

本文从NH_2D气体的高斯线型出发,推导出探测器输出误差信号的表示式。采用计算机对误差信号表示式进行处理,得到了误差信号的数值解,由计算机分析出的基波,二次谐波分量和鉴频曲线与实验观察结果相符。测量了斯塔克盒偏压与吸收线中心频率的关系曲线,其曲线斜率与理论计算结果基本一致。文中还测试了斯塔克盒的巴邢曲线,优