| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 |
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| 引用本文： | 江山,董雷,张瑞康,罗勇,谢世钟.Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用[J].光电子．激光,2009(5). |
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| 作者姓名： | 江山 董雷 张瑞康 罗勇 谢世钟 |
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| 作者单位： | 武汉光迅科技股份有限公司;山东大学信息科学与工程学院;清华大学电子工程系; |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划资助项目(2006AA03Z427);;国家重点基础研究发展规划资助项目(2003CB314903) |
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| 摘 要： | 采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。
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| 关 键 词： | 电感耦合等离子体（ICP）刻蚀 金属氧化物化学气相沉积（MOCVD） 分布反馈（DFB）激光器 可靠性 |
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