新型滤波提高光刻分辨率方法研究

推导出光刻成像的计算机模拟公式。讨论了光瞳滤波提高光刻分辨率的物理机理。给出了几个实验结果,提出逆傅利叶变换卷积滤波提高光刻分辨率的原理及方法,并和光瞳滤波进行了比较,结果表明：加入适当的光瞳滤波,在数值孔径为０．６３的ｉ线投影光刻曝光机上对０．２５ｕｍ的密集型线条实现了０．４３的光强对比度,采用逆傅利叶变换卷积滤波在数值孔径为０．６０的１９３ｎｍ深紫外投影光刻曝光机上实现０．１３ｕｍ左右的密集型     

用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模

讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法,利用自行设计、建立的KrF准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究,给出了实验结果,并与传统光刻方法作了比较.     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统,通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光,将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用,可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺,并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例     

双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较

双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列图形周期极限为λ/2;四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍。模拟和实验结果表明,通过控制曝光和显影工艺,双光束双曝光较四光束单曝光能更灵活地得到孔阵或点阵,而四光束单曝光得到的图形孔与孔之间没有鞍点,较双光束双曝光形成的孔侧壁更陡。这两种方法在需要在大面积范围内形成孔或点这类周期阵列图形的微电子和光电子器件的制造领域有很好的应用前景。     

0.35μm相移掩模模拟计算及软件设计

首先通过对０．３５μｍ接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算，得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移掩模中，衰减型对南昌市边缘斜率最为明显，因此我们决定采用衰减型相移掩模。最后编制了相应的衫化软件，该软件能够自动生成各种相移掩模并能够模拟计算不同照明参数、不同掩模、不同数值孔径、不同离焦情况下的空间象分布，以及直接生成制作掩模时的激光直写数据。     

双反射面形成光驻波场的研究

分析了镜面的反射系数与光驻波场的关系，详细讨论了影响双反射面形成的驻波场的各种因素，并对TE波和MT波驻波场的光强分布进行了模拟和比较，最后得到了一些对实验有指导意义和结论。     

影响全息光刻图形质量的因素

使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响,并找出了影响图形质量的主要因素.在此基础上设计了实验系统,最后得到了分辨率基本上只受初始光掩模分辨率限制的光刻图形.     

激光散斑图样法随机相移器在全息照相中的应用

本文叙述了制作随机相移器的三种不同方法,着重论述了用随机分布激光散斑照相漂白法制作的随机相移器在全息存贮中的应用;给出和比较了它们的付立叶频谱分布及在全息存贮中用于改善像质的实验结果。     

今后五年的商品激光器

本文展望80年代后五年商品激光器的发展。它是根据最近“激光集锦”综述文章中谈到的激光厂家提供的信息写成的。文章提出推进商品工艺向前发展的关键技术力量和市场力量。将改进商品激光器的平均功率和功率/尺寸比、可靠性和寿命、效率以及脉冲特征。     

CCD成像

固体成像器件的重大改进,特别是分辨率和光灵敏度的改善,使之在所有的电子照相应用中代替光导摄象管和其它管子已为期不远了.一个明显的标志就是固体成像器件在目前长期由摄象管承担的广播电视摄像机中的应用与日俱增.固体成像器件的传统优点——小尺寸、轻重量、低功耗以及抗惰性和抗烧毁能力——在某些应用中已经结合起来,使成像能力