相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟

本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。     

用象管设计成象系统

六十多年来,真空管对最难对付的很多技术问题已经提供了最有效的解决办法。如今,它们仍然在广泛使用。尽管出现了固体器件,但真空管仍然支配着很多应用。其中之一是微光成象和光增强。象增强器虽然也可以把光转换成电信号,但它们主要是用于增强光信号。固体器件一般不能增强光信号。在固体光电探测器中,只有雪崩二极管能产生佶号增强,但是,它们的尺寸小,限制了在成象方面的应用。     

用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件

介绍了利用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件的原理和方法，给出了制作结果。     

微光刻相移掩模技术研究

本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率、延长光刻技术寿命以及推进光刻技术极限发展方面的优良性能     

LMR—1型掩模缺陷检查激光修整仪

本文介绍了科学院光电技术研究所研制的我国第一代掩模缺陷(检查)激光修整仪。介绍了掩模缺陷的产生及其修补方法,国外主要激光修补仪产品,掩模缺陷激光修整原理和实验研究,着重介绍了LMR-1型掩模缺陷(检查)激光修整仪的结构原理和主要单元,系统功能和主要技术指标及仪器操作流程。该仪器可用于检查和修整2～6in(50～152mm)掩模版上的尺寸2～60μm的缺陷。     

成像干涉光刻技术及其频域分析

传统光学光刻技术(OL)由于其固有的限制,虽然可对任意图形成像,但分辨力较低。无掩模激光干涉光刻技术(IL)的分辨力可达l /4,却局限于周期图形。成像干涉光刻技术(IIL)结合了二者的优点,用同一个系统分次传递物体不同的空间频率,能更有效地传递物体的信息,以高分辨力对任意图形成像。初步模拟研究表明,在同样的曝光波长和数值孔径下,对同样特征尺寸的掩模图形,IIL得到的结果好于OL。在CD=150nm时,IIL相对于OL把分辨力提高了1.5倍多。     

提高光刻图形质量的双曝光技术

双曝光技术能提高图形对比度和分辨率,可改善焦深,从而提高光刻图形质量,介绍了双 曝光技术原理和几种双曝光方法,同时,提出采用双曝光技术,结合相移掩模和光学邻近效应校正来提高光刻分辨率,给出了双曝光光刻方法的实例及计算机模拟结果。     

一种新型光刻系统的研究

介绍了一种新型的光刻系统－全内反射全息光刻系统。着重讨论了设计该系统时的几个重要因素,给出了用该系统开展的实验研究结果。     

深紫外和X射线光刻技术

阐述了深紫外光刻技术和Ｘ射线光刻技术的发展，一些相关单元技术，以及深紫外和Ｘ射线光刻技术的前景。     

影响全息光刻图形质量的因素

使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响,并找出了影响图形质量的主要因素.在此基础上设计了实验系统,最后得到了分辨率基本上只受初始光掩模分辨率限制的光刻图形.