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51.
铁电薄膜的特性、制备及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
铁电薄膜材料具有自发极化,且其方向随外电场反转.它还具有压电效应、热释电效应等,因此在不挥发存贮器、压力传感器、红外传感器等方面有广泛的应用。铁电薄膜制备工艺与标准CMOS工艺、双极型集成电路工艺以及GaAs集成电路工艺相容,使集成铁电技术取得长足的发展。一门崭新的集半导体、电介质等学科于一体的集成铁电学正在崛起。 相似文献
52.
以L a Ni O3( L NO)为独立下电极,制备出Au( Cr) / PZT/ L NO/ Si O2 结构的铁电电容,与使用Pt下电极对比,其抗疲劳特性得到了极大的改善.在1MHz频率10 V电压下,经过10 1 1 次脉冲反转,其( P* - P^ )仅下降了11%左右,这主要是由于使用氧化物电极可以极大地降低PZT与电极界面处的氧空位的形成和积聚.通过不同频率和相同频率不同脉冲宽度条件下疲劳特性的测试,观察到随着测试频率的升高,抗疲劳特性也随之提高;在相同频率下,随着测试脉宽的加大,疲劳现象加剧;同时,结合缺陷对载流子的俘获和带电氧空位的迁移理论很好地解释了上述现象 相似文献
53.
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置衬底SOI/nMOS晶体管的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了Kink效应的产生机理。计算结果与实验符合甚好。对器件参数的分析可以定性地指导抑制Kink效应的器件优化设计。 相似文献
54.
采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。 相似文献
55.
给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路CAD的短沟MOS器件直流模型。该模型精确、高效,可移植到HSPICE等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法,文中采用局部优化参数提取法进行MOS器件参数提取。优化算法采用单纯形直接搜索法。参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。通过对1.2μmCMOS工艺NMOS器件的测试及参数提取,并进行模型计算,结果表明理论和实际值符合很好。 相似文献
56.
苹果酒苹果酸乳酸菌顺序发酵工艺的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
本文对乳酸菌Oenococcus oeni L4在起泡苹果酒(cider)中的具体应用工艺和影响因素进行了研究。结果发现,采用顺序发酵是三种发酵方式中产乙酸的量最少,发酵温度在20℃、接种量为6×105cfu/ml最有利于苹果酸乳酸发酵的进行。研究还发现,在相同的发酵时间内,发酵初始苹果酸含量在6676.95mg/L仍能够顺利完成MLF发酵。在此工艺条件下酿制的苹果酒不仅实现了苹果酸向乳酸的转化,并且苹果酒的口感能够得到较大的改善。 相似文献
57.
福建泉州市举办的"泉州名优特新产品网上博览会"(简称"网博会")已经5届了.实践证明,办会成本低、见效快的"网博会"推动了泉州乡镇企业的发展. 相似文献
58.
提出了一种集成模乘求逆双重运算的抗攻击RSA协处理器设计.在设计中引入了指数重编码和双位扫描的方法以提高模幂运算的速度,并采用数据屏蔽和随机重编码的方案来防御功耗分析攻击.基于字串行架构实现了模乘和求逆运算,并提出了相应的可伸缩蒙哥马利模乘算法,使基本运算具有数据通路小、可伸缩性强的特点.在VLSI设计上实现了模乘和求逆运算的硬件复用,大幅度地降低了成本.FPGA验证表明协处理器能够正确地完成所有预定的功能.TSMC0.25um工艺综合结果显示,协处理器的工作频率可达170MHZ,总的规模(包括核心电路与存储单元)约为26K等效门.因此本文RSA协处理器体现了多功能、可伸缩、抗攻击和低成本的综合优势. 相似文献
59.
60.