厚积层吹填土地基处理

在上海杨浦大桥浦东引桥三标工地,有大面积的厚积层吹填土,该地域原是块低洼地,在黄浦江疏竣时用高压泵将江底的淤泥抽送到此地面上,层层堆积形成厚达2.6m的吹填土,土     

铁电薄膜的特性、制备及应用

铁电薄膜材料具有自发极化，且其方向随外电场反转．它还具有压电效应、热释电效应等，因此在不挥发存贮器、压力传感器、红外传感器等方面有广泛的应用。铁电薄膜制备工艺与标准ＣＭＯＳ工艺、双极型集成电路工艺以及ＧａＡｓ集成电路工艺相容，使集成铁电技术取得长足的发展。一门崭新的集半导体、电介质等学科于一体的集成铁电学正在崛起。     

N1003型铁路起重机转台有限元分析

转台是大型铁路起重机的重要承载结构，构造及受力复杂。本文用ＳＡＰ５程序对Ｎ１００３型铁路起重机的转台强度和刚度作有限元分析，将它复杂的空间桥梁结构简化为由两片主梁与环形构架组成的计算模型，结果计算的数值与实测值相当接近。     

用碱分解-离子交换流程处理钨中矿生产仲钨酸铵的试验总结

应用户要求,我们对湖南产出的含WO_345%左右,含Sn、Cu的钨中矿进行了实验室试验研究。目的在于向以钨中矿生产仲钨酸铵的生产线提供流程与必要的设计数据。 所用矿物原料的化学组成如表1所示,实验流程如图1所示。 实验主要包括碱分解、浓缩结晶、离子交换及蒸发结晶等主要工序;在废水处理,探索新的除杂方面,也做了一些工作。本总结主要包括碱分解,离子交换和废水处理等部分,现分述如下。     

SOI/MOSFET Kink效应的模拟和分析

非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置衬底SOI/nMOS晶体管的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了Kink效应的产生机理。计算结果与实验符合甚好。对器件参数的分析可以定性地指导抑制Kink效应的器件优化设计。     

精确的短沟MOSFET电路模型及参数提取

给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路ＣＡＤ的短沟ＭＯＳ器件直流模型。该模型精确、高效，可移植到ＨＳＰＩＣＥ等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法，文中采用局部优化参数提取法进行ＭＯＳ器件参数提取。优化算法采用单纯形直接搜索法。参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。通过对１．２μｍＣＭＯＳ工艺ＮＭＯＳ器件的测试及参数提取，并进行模型计算，结果表明理论和实际值符合很好。     

一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法

采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。     

液化法酿造黄酒的研究

对米粉液化法发酵黄酒进行了研究，在淀粉酶加量为0．2％，液化温度为80℃，液化时间为80min时米粉液化较完全，与传统相比，液化法缩短了发酵时间，对原料的利用率较高，所得的酒，麦曲味较少，苦涩味较轻，口味较清淡。     

铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备

在铁电不挥发存储器 (FERAM)技术中 ,集成铁电电容的制备是关键工艺之一。文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺 :采用 lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容 Pt/Ti下电极 ,然后用 Sol-Gel方法制备 PZT薄膜。在 PZT薄膜未析晶前 ,先将它加工成电容图形 ,再高温退火成为 PZT铁电薄膜。最后完成铁电电容 Pt上电极。与传统工艺相比 ,改进后的工艺能保持 PZT铁电薄膜与金属上电极之间良好的接触界面。测试结果表明 ,工艺条件的变动不会影响 PZT铁电薄膜的成膜和结构 ,从而可得到性能优良的铁电电容。