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101.
将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中,制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET,研究了MFIS电容的界面和存储窗口特性,结果表明ZrO2介质阻挡层和Si衬底以及PZT的附着良好,在±5V测试电压、1MHz测试频率下,存储窗口电压为2.6V左右,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压差值的比为0.8.对于宽长比为500μm/50μm器件,采用栅极与源极、漏极写入方式,±10V时在写入电压下得到理想的输入-输出特性;小尺寸的40μm/8μm器件在±5V写入电压下特性较好. 相似文献
102.
电子工业几乎每年创造价值一万亿美元的仪器设备,这是整个电子产品的批发价格,如计算机、移动电话、路由器、数字化视频光盘、发动机控制器、心脏起搏器以及能形成电子工业的其他系统。20多年来,或许也可说电子工业开创,即追溯到55年前晶体管发明以来,电子工业每年增长率在6%到7%之间。日本以外的亚洲国家,如中国、中国的台湾、韩国等占了20%(或世界电子系统成品中的2000多亿美元),相对世界上其他地区每年5%或6%的增长率,这些地区每年有10%的增长率。 相似文献
103.
本文采用玻尔兹曼变换法求解高浓度下的砷和硼的扩散方程,并以高斯分布作为离子注入的初始分布,得到了杂质在退火过程中再分布的新的解析模型.还得到了结深、峰值浓度等随退火条件变化的解析表达式.这些结果对MOS和双极器件、电路的工艺设计有实际参考价值.也能用来改进 SUPREM工艺模拟中所采用的模型. 相似文献
104.
本文对硅中砷扩散系数考虑了中性空位引起的本征扩散项D~0的影响,推导而得出D~0对表面浓度N_s,结深x_j(t)等的影响大约为5-10%。在离子注入退火的解析模型中考虑其影响是有实际意义的。 相似文献
105.
超临界流体工艺学是一门较为新颖的学科。 超临界流体的特点及其作为浸出(萃取)用溶剂的优越性在理论上早已被人们所认识,但在工业上的应用,却是不久以前的事。 众所周知,在植物油脂浸出过程中,目前国内外都用烃类作溶剂,其最大的缺憾是容易燃烧,与一定量空气组成的混合物,遇到火星或赤热的物体还会引起爆炸。 为此,近年来利用超临界流体的特性并使其作为油脂浸出用溶剂的研究已在一些国家,取得了很大的进展。 本文将着重对国外特别是美国利用一种超临界流体——CO_2浸出大豆油所进行的研究工作加以阐述和探讨。 相似文献
106.
107.
108.
RSA密码算法的功耗轨迹分析及其防御措施 总被引:11,自引:0,他引:11
针对RSA密码算法的电路,提出了一种新的功耗分析攻击方法--功耗轨迹分析.该方法的基本特点是通过处理电路的功率信号,从信号的轨迹图形中获取RSA算法的敏感信息(如密钥),因此,功耗轨迹分析能够有效地攻击现有的多种形式的RSA实现方案.同时还探讨了RSA密码电路防御攻击的措施:直接在算法中添加冗余的伪操作能够抵御功耗轨迹分析攻击,但是这会导致电路功耗增大和速度降低.进而还提出了一种将RSA算法中的伪操作随机化的新方法.该方法能够在保证电路安全性的同时又节省电路功耗和运算时间. 相似文献
109.
110.