铝取代的SrM六角晶系铁氧体

用普通陶瓷工艺制备了铝取代的ＳｒＭ六角晶系铁氧体，其磁晶各向异性场Ｈａ变化范围为１４２４～１９９０ｋＡ／ｍ；饱和磁化强度为１９０～３１２ｋＡ／ｍ；介电损耗小于５×１０－３．得出了此种材料很有可能在较高毫米波铁氧体器件中获得应用的结论。     

一款3.5GHz高效率F类功率放大器的研究与设计

根据F类功率放大器的电路结构特点,给出用LC匹配电路设计输出端的三阶谐波抑制网络的方法,设计了一款工作频率为3.5GHz的F类功率放大器。仿真结果输出功率为37dBm,功率附加效率为68%,谐波失真得到很好抑制,效率得到提高。     

基于BIBD（4，2，1）的RFID防碰撞算法

标签防碰撞技术是射频识别系统的关键技术之一,它决定着标签的读取速率和正确率。以二进制搜索算法和平衡不完全区组设计BIBD（4,2,1）为基础,提出一种新型确定性RFID标签防碰撞算法。将标签分节,每节只包含BIBD（4,2,1）的子集,通过逐节识读达到快速识别的目的。数学分析和仿真结果表明,该算法识别速度优于二进制算法和动态二进制算法,可达到二进制算法的6倍以上,适用于标签数量多、UID长度较长的识别环境。     

DC-DC变换器中一种高性能振荡电路的设计

采用 UMC 0.6μm BCD 工艺,设计了一种高性能双频振荡电路,并成功地将其应用于一款高效率、宽输入电压范围的 DC-DC 降压型开关变换器中。该电路作为整个芯片的核心模块之一,采用双电容充放电技术和 RS 触发机制,实现方波信号高、低电平时间精确可控。仿真结果表明,在考虑偏置电流、电源电压、温度以及 MOSFET 工艺波动的容差时,该振荡器的正常工作频率和占空比的最大偏差分别为7%和5%。     

5.8 GHz RFID标签用共面波导蝶形缝隙天线的设计

设计了一种基于5.8 GHz RFID标签应用共面波导馈电蝶形缝隙天线以满足RFID应用发展的需求.天线制作在相对介电常数为4.4的FR4介质板上.天线增益可达4.1 dBi,在回波损耗<-10 dB条件下带宽为21.7%.天线H面辐射方向图近乎全向.提出了一种天线小型化设计方案,小型化天线采用双重蝶形结构.经过小型化后的天线面积缩减了48.18%.小型化后的天线带宽也大大增加,达到51%.结果表明蝶形缝隙天线以及小型化天线都为单一平面,结构简单,适合RFID的应用.     

钴取代的BaNi2W六角铁氧体

研究了ＢａＮｉ２－ｘＣｏｘＦｅ１６Ｏ２７（ｘ＝０,０．２,０．２５,０．４,０．４２,０．５,０．８４）六角铁氧体多晶材料的磁特性。结果,取向度大于７５％,介电损耗小于５×１０＾－３,饱和磁化强度为３６６ＫＡ／ｍ几乎不变。磁晶各向异性场为２００ｋＡ／ｍ≤Ｈａ≤１１４０ｋＡ／ｍ,这类材料可应用于Ｘ至Ｋａ波段的微波器件。     

浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响

提出了在屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT)的沟槽侧壁氧化层中形成浮动电极的结构,通过改善电场分布,优化了特征导通电阻与特征栅漏电容。在传统SGT结构的基础上,仅通过增大外延层掺杂浓度,改变浮动电极的长度和位置以及氧化层厚度,最终得到击穿电压为141.1 V、特征导通电阻为55 mΩ·mm²、特征栅漏电容为4.72 pF·mm^-2的浮动电极结构。与相同结构参数的SGT结构相比,在击穿电压不变的条件下,浮动电极结构的特征导通电阻降低了9.3%,Baliga优值提升了13%,特征栅漏电容降低了28.4%。     

一种低压低功耗共源共栅带隙基准电压源的实现

提出了一种低压低功耗的带隙基准电压源电路,设计基于0.5μm2P3M BiCMOS Process,并使用了低压共源共栅电流镜结构减少了对电源电压的依赖,消除了精度与余度之间的矛盾,并用HL50S-S3.1S.lib库文件用HSPICE进行了仿真,其电源抑制比PSRR大约为-78.9dB。     

1.3GHz 0.25μm CMOS低噪声放大器的设计

设计了一种基于0．25μm CMOS工艺的共源共栅型1．3GHz的LNA。从噪声优化、增益及阻抗匹配角度详细分析了电路的设计方法，讨论了寄生电容Cgd、C_match_in及共栅管沟道宽度W2对LNA性能的影响。采用ADS软件，对W2进行扫描和对LNAS参量和噪声系数进行仿真测试结果表明：该LNA在1．3GHz的工作频率下．具有良好的性能指标，噪声系数fN为1．42dB，增益S21为13．687dB．匹配参数S11为-14．769dB，S22为-14．530dB，反向隔离度S12为-52．955dB。     

一种新型输入匹配结构在低噪声放大器中的应用

在分析传统源极电感负反馈输入匹配结构缺陷的基础上,利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感,同时去掉源极负反馈电感。基于这种改进型输入匹配结构,设计了一种适用于无线接收机用的宽带CMOS低噪声放大器。结果表明,该LNA在工作频带内可达到15 dB的增益,2.75~3.65 dB的噪声系数,-10 dBm的1 dB压缩点,以及良好的稳定性。虽然输入匹配由于去除源极负反馈电感受到一定影响,但有利于降低噪声系数,并减小实际制作的芯片面积。