Sr0.95Ca0.05Fe12O19六角铁氧体的微波特性

采用标准陶瓷工艺，并进行湿压磁场成型和氧气氛烧结，制备了目前尚未见报道的高取向度，低介电损耗的各向异性Sr0.95Ca0.05Fe12O19多晶六角铁氧体。研究了它们的比饱和磁化强度（δs)，磁晶各向异性场（H^A)同温度（T）的变化关系，并对其取向度进行了较深入的讨论。     

一种具有输出限压功能的电荷泵的设计

在传统的电荷泵中,通常将更多的设计重点放在电荷泵的升压效率问题上。但是,在低电压工艺中,过高的电压会让MOS管处于被击穿的危险之中,同时,开关管的导通电阻随电源电压的变化很明显。针对上述问题,提出了一种具有输出限压功能的电荷泵。采用0.5 μm UMC工艺,利用Cadence和Hspice软件进行电路设计与仿真。结果表明,当电源电压在2.7~5.5 V范围内变化时,电荷泵的输出电压可控制在一定范围内,并且开关管的导通电阻变化很小。     

一种高精度过温保护电路的设计

基于UMC 0.25um BCD工艺,设计了一款高精度过温保护电路。通过基准电路中三极管的基极-发射极电压的负温度特性实现温度检测,调节电阻的比值产生迟滞温度量,避免了电路热振荡现象。经过HSPICE仿真验证,电路在温度130℃时,过温保护信号发生翻转,关断芯片,待温度降低到99℃时再次开启,具有31℃迟滞量。在电源电压变化时,过温保护电路的过温阈值和迟滞温度量偏差最大仅为0.24℃。     

一种低功耗UHF RFID标签数字基带处理器

超高频射频识别(UHF RFID)电子标签的低功耗设计是当前的研究热点与难点。数字基带部分的功耗占芯片总功耗的40%以上,而时钟模块的功耗约为基带部分的50%。针对此问题,设计了一种兼容EPCTM C1 G2/ISO 18000-6C协议的新型UHF RFID标签数字基带处理器。围绕时钟信号设计了新型数字基带架构,引入局部低功耗异步电路结构,并采用模块时钟的门控动态管理技术,尽可能降低功耗。该数字基带电路在FPGA上完成了功能实测,采用SMIC 0.18 μm CMOS完成了芯片级的逻辑综合及物理实现。结果表明,版图面积为0.12 mm²,平均功耗为 8.8 μW。     

一种高性能多重峰值检测VLSI结构

现有的大部分峰值检测VLSI都是基于基-2的树结构,性能较低,还会消耗大量的芯片资源。针对此不足,提出一种高性能多重峰值检测VLSI。该峰值检测VLSI可在大量数据中找到N个峰值,并输出峰值的坐标。采用了控制电路同构化和数据通道“Push-Pull”机制,达到简化控制电路、压缩数据通路逻辑延迟的目的。基于TSMC 90 nm CMOS工艺,对电路进行了性能评估。结果表明,在不同极值个数下,该VLSI最高频率可达1 GHz,最大面积仅为42 205 μm²。     

一种步进的单元散布拥塞消除算法

提出一种用于布局阶段的拥塞消除算法。首先,筛选出拥塞严重区域的高引脚数标准单元。然后,以步进的方式为这些标准单元设置隔离区域,使其散布,以消除该区域的拥塞。该方法能有效降低设计的短路违例,并减小总线长优化时序。采用提出的算法和SYNOPSYS公司的软件ICC,对一种采用SMIC 65 nm标准单元工艺库的两百万门设计进行优化。与ICC的优化结果相比,采用该算法后,短路违例降低了12%,总线长缩短了7%,总违例时间减少了14%,但运行时间有所增加。     

一种用于Buck变换器的过流保护电路

基于功率MOS管导通电阻对电流采样的方法,设计了一种用于带集成功率MOS管的Buck变换器的过流保护电路,改善了传统过流保护电路的限流阈值随电源电压和温度变化较大的问题。对该电路的结构和原理进行了阐述与理论推导,采用Hspice软件对理论分析进行了仿真验证。仿真结果表明:当电源电压在2.5~6 V、温度在-55 ℃~125 ℃的范围内变化时,电路的限流阈值保持在3.2 A,限流阈值的最大误差值不超过±9.4%。该电路具有极快的响应速度,最大延时仅为33 ns。     

一种P-GaN栅结合混合帽层结构的HEMT器件

为了进一步提升P-GaN栅HEMT器件的阈值电压和击穿电压,提出了一种具有P-GaN栅结合混合掺杂帽层结构的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)。新器件利用混合掺杂帽层结构,调节整体极化效应,可以进一步耗尽混合帽层下方沟道区域的二维电子气,提升阈值电压。在反向阻断状态下,混合帽层可以调节栅极右侧电场分布,改善栅边电场集中现象,提高器件的击穿电压。利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比普通P-GaN栅增强型器件,结果显示,新型结构器件击穿电压由593 V提升至733 V,增幅达24%,阈值电压由0.509 V提升至1.323 V。     

基于LDO线性稳压器的误差放大器设计

提出了一种功耗低、转换速率高且工作电压范围宽（2．5～5．5V）的高性能误差放大器。采用HSPICE对电路进行模拟，结果表明当工作电压为2．5V时，该放大器的转换速率约为29.4V／us，而静态电流低至16．6uA；在5．5V的工作电压下，放大器的转换速率可高达38.5V／us，静态电流却不超过20uA。     

Zn-Ti取代的BaFe12O19铁氧体

采用标准陶瓷工艺,并进行湿压磁场成型和氧气氛烧结制备了高取向度、低介电损耗的各向异性Ｂａ（ＺｎＴｉ）ｘＦｅ１２－２ｘＯ１９多晶六角铁氧体,随着ｘ值增大,磁化强度减小,居里温度下降,磁晶各向异性常数减小。结果可以通过假设Ｚｎ＾２＋取代了四面体４ｆ１次点阵位和六面体２ｂ次点阵位上的ＦｅＴ＾３＋;Ｔｉ＾４＋取代了自旋向上的八面体１２ｋ,２ａ次点阵位上的Ｆｅ６３＋来解释。