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提出一种新颖的可以集成在芯片内部的纹波补偿方案,解决了当陶瓷电容作为基于纹波的恒定导通时间(RBCOT)架构Buck变换器输出滤波电容时出现的次谐波振荡问题。此纹波补偿方案在不增加任何IC外围元件的条件下,可增强系统稳定性且具有良好的瞬态响应性能。采用描述函数(DF)方法对所提出的纹波补偿方案进行小信号建模与稳定性分析。Simplis仿真结果证明了所推导的系统模型与稳定性判据,实验结果进一步验证了理论分析。 相似文献
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基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层。利用P-BOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的。采用Sentaurus TCAD软件对该BiCMOS NJFET的击穿电压进行仿真。结果表明,该NJFET的击穿电压达104 V,在相同N阱掺杂浓度下,比传统NJFET提高了57.6%。 相似文献
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基于OKI 0.5 μm BCD工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用Brokaw带隙基准核心结构,引入一个高阶效应的电流,对基准进行补偿。结合基准核心电路产生的无温度系数电压,利用简单的电路实现基准电流源的产生。仿真结果表明,在4.5 V供电电压下,-40 ℃~150 ℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.1755~1.17625 V,温漂为3.9 ×10-6/℃,基准电流为3.635 μA,输出基准电流波动仅为2.2 nA,精度较高,低频时电路电源抑制比为-76 dB。 相似文献
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在传统带隙基准的基础上,设计了一种分段曲率补偿的低温漂带隙基准。利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,在低温和高温段同时对基准电压进行曲率补偿,采用UMC 0.25μm BCD工艺进行仿真。仿真结果表明,电源电压5 V时,静态功耗电流为7.11μA;电源电压2.5~5.5 V,基准电压变化148μV;温度在–40~+145℃内,电路的温度系数为1.18×10–6/℃;低频时电源抑制比为–87 d B。 相似文献
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针对传统低压供电的低压差线性稳压器线性响应比较慢的情况,提出了一种基于BICMOS 0.5μm工艺分高低压供电的低压差线性稳压器。经过Hspice仿真验证,该稳压器具有高增益、高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)、低功耗、响应速度快的特点,输入电压范围为0.5~28.0 V,输出电压为5 V。此稳定器低频时的开环增益达到86 dB,相位裕度为68o,低频时的电源电压抑制比为–91 dB,高频时也能达到–2 dB,静态电流只有13.5μA。 相似文献
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