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排序方式: 共有254条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
52.
53.
钴取代的BaNi2W六角铁氧体 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了BaNi2-xCoxFe16O27(x=0,0.2,0.25,0.4,0.42,0.5,0.84)六角铁氧体多晶材料的磁特性。结果,取向度大于75%,介电损耗小于5×10^-3,饱和磁化强度为366KA/m几乎不变。磁晶各向异性场为200kA/m≤Ha≤1140kA/m,这类材料可应用于X至Ka波段的微波器件。 相似文献
54.
5.8 GHz RFID标签用共面波导蝶形缝隙天线的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
设计了一种基于5.8 GHz RFID标签应用共面波导馈电蝶形缝隙天线以满足RFID应用发展的需求.天线制作在相对介电常数为4.4的FR4介质板上.天线增益可达4.1 dBi,在回波损耗<-10 dB条件下带宽为21.7%.天线H面辐射方向图近乎全向.提出了一种天线小型化设计方案,小型化天线采用双重蝶形结构.经过小型化后的天线面积缩减了48.18%.小型化后的天线带宽也大大增加,达到51%.结果表明蝶形缝隙天线以及小型化天线都为单一平面,结构简单,适合RFID的应用. 相似文献
55.
采用 UMC 0.6μm BCD 工艺,设计了一种高性能双频振荡电路,并成功地将其应用于一款高效率、宽输入电压范围的 DC-DC 降压型开关变换器中。该电路作为整个芯片的核心模块之一,采用双电容充放电技术和 RS 触发机制,实现方波信号高、低电平时间精确可控。仿真结果表明,在考虑偏置电流、电源电压、温度以及 MOSFET 工艺波动的容差时,该振荡器的正常工作频率和占空比的最大偏差分别为7%和5%。 相似文献
56.
用普通陶瓷工艺制备了铝取代的SrM六角晶系铁氧体,其磁晶各向异性场Ha变化范围为1424~1990kA/m;饱和磁化强度为190~312kA/m;介电损耗小于5×10-3.得出了此种材料很有可能在较高毫米波铁氧体器件中获得应用的结论。 相似文献
57.
设计了一种采用增强型AB跟随器作为缓冲器的快速响应LDO.利用跟随器的动态电流提高能力,显著地改善了误差放大器对功率MOS管寄生大电容的驱动;同时,由负反馈引起的阻抗降低效应将功率管的寄生电容极点推到了更高的频率,提高了环路的相位裕度.采用TSMC0.35-μm CMOS工艺进行仿真,当负载电流在0.1μs内从1 mA跳变到50 mA以及从50 mA跳变到1 mA时,相对于同等条件下的源跟随器LDO,输出峰值分别减少4 mV和46 mV,且稳定时间只需要0.2 μs和0.5 μs. 相似文献
58.
提出RFID数据集成中间件概念.为了不改变现有各数据库局部模式,提供各数据库的全局模式,将MAS和分布式数据技术结合,提出基于Agent的关系数据库访问技术的联邦模式虚拟集成法.该虚拟集成法基于本体构建分布式数据库;针对网络环境,基于CIAgent开发包研究设计分布式智能代理DIAgent,用KQML语言描述DIAgent间协作通信过程,由多个协作DIAgent构建GDBMS.实现了油田企业数据集成,系统运行稳定可靠. 相似文献
59.
60.
一种新型热关断电路的设计 总被引:3,自引:1,他引:2
提出了一种新型BiCMOS过热关断电路.该电路结构简单、功耗较低、迟滞温度范围基本保持不变,可集成在电源管理芯片中作为过热保护模块使用.采用0.6,um BiCMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真,结果表明:该电路对电源电压有很强的抑制比,可用于2~12 V电源电压. 相似文献