一种结构简单的新型CMOS欠压保护电路

分析了两种传统欠压保护电路的工作原理及优缺点,在此基础上提出一种新颖的欠压保护电路。电路采用电流比较的方式,不依赖比较器、基准电源等辅助结构,结构简单,具有良好的独立性和稳定性;此外,有源器件中仅使用了MOS管,工艺实现容易,更便于集成。仿真结果表明,当电源电压在2.5V到3V之间变化时,电路欠压保护功能正常,并具有90mV的迟滞,可有效防止电源电压波动引起的误触发。     

一种高精度快速响应欠压锁定电路设计

针对传统欠压锁定(UVLO)电路结构复杂和响应速度慢的问题,设计了一种高精度的快速响应欠压锁定电路.该电路整体均由CMOS管组成,结构简单且易于实现.采用电流模控制技术,随电源电压呈二次方曲线变化的自偏置电流控制阈值电压的产生,有效提高了电路的响应速度.该欠压锁定电路基于0.18μm BCD工艺设计,并利用HSPICE进行仿真验证,当电源电压在0～5V区间变化时,输出电压翻转的上阈值门限为3.91 V,相应下阈值门限为3.82V,迟滞量为90 mV,温度在-40～125℃范围变化时,阈值门限电压容差仅为0.9μV,可实现输出电压的高精度转换,电路面积仅为15 μm×48μm.     

基于分层多子群的混沌粒子群优化算法

在分层多子群结构模型的基础上,提出一种混沌粒子群优化算法(HCPSO).该算法对非线性递减的惯性权重进行混沌变异,并采用了混沌搜索方法.在更新全局历史最优位置每一维分量时,选取不同的若干个体作为学习对象,并计算它们的平均位置.混沌搜索区域半径可根据粒子个体最优位置与上述平均位置间的距离自适应地调整.通过对几种典型函数的测试结果表明,该算法具有较好的全局搜索和局部搜索能力,可有效避免早熟收敛问题.     

采用增强型AB跟随器的快速响应LDO

设计了一种采用增强型AB跟随器作为缓冲器的快速响应LDO.利用跟随器的动态电流提高能力,显著地改善了误差放大器对功率MOS管寄生大电容的驱动;同时,由负反馈引起的阻抗降低效应将功率管的寄生电容极点推到了更高的频率,提高了环路的相位裕度.采用TSMC0.35-μm CMOS工艺进行仿真,当负载电流在0.1μs内从1 mA跳变到50 mA以及从50 mA跳变到1 mA时,相对于同等条件下的源跟随器LDO,输出峰值分别减少4 mV和46 mV,且稳定时间只需要0.2 μs和0.5 μs.     

基于MAS的RFID物联网数据集成中间件研究与实现

提出RFID数据集成中间件概念.为了不改变现有各数据库局部模式,提供各数据库的全局模式,将MAS和分布式数据技术结合,提出基于Agent的关系数据库访问技术的联邦模式虚拟集成法.该虚拟集成法基于本体构建分布式数据库;针对网络环境,基于CIAgent开发包研究设计分布式智能代理DIAgent,用KQML语言描述DIAgent间协作通信过程,由多个协作DIAgent构建GDBMS.实现了油田企业数据集成,系统运行稳定可靠.     

1.8 GHz CMOS有源负载低噪声放大器

提出了一种新的变压器型有源电感负载低噪声放大器设计方案。单片无源大电感的品质因数通常很低,因此,需验证变压器型有源电感替代无源电感负载的有效性,与现有的一些单片无源电感负载低噪声放大器进行了比较,结果表明变压器型有源电感负载低噪声放大器可以得到更低的噪声系数。     

一种新型热关断电路的设计

提出了一种新型BiCMOS过热关断电路.该电路结构简单、功耗较低、迟滞温度范围基本保持不变,可集成在电源管理芯片中作为过热保护模块使用.采用0.6,um BiCMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真,结果表明:该电路对电源电压有很强的抑制比,可用于2～12 V电源电压.     

一种新型的基于LDO的过流保护电路设计

设计了一种基于低压差线形稳压器的Foldback过流保护电路。该Foldback过流保护电路的静态电流不超过0．94μA，极大地提高了电流利用率。该芯片采用TSMC0．6um、BiCMOS工艺生产制造。     

一种高速高精度CMOS电流比较器

针对传统电流比较器速度慢，精度低等问题，提出了一种新型CMOS电流比较器电路。我们采用CMOS工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了仿真，结果表明当电源电压为3V，输入方波电流幅度为0．3uA时，电流比较器的延时为5．2ns，而其最小分辨率仅约为0．8nA。该比较器结构简单，速度快，精度高，适合应用于高速高精度电流型集成电路中。     

基于自适应滤波原理的扩频窄带干扰对消技术

本文在介绍了扩频通信的基本原理的基础上,重点研究了用自适应滤波原理对扩频信号中的窄带干扰进行消除的方法,并建立模型进行了仿真分析。结果表明,用两个自适应滤波器组成的双环噪声消除器对扩频信号中的窄带干扰可以起到非常理想的抑制作用。