一种VLD结构VDMOS终端设计

垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,VDMOS)终端设计中,场限环结构被广泛应用,但随着器件耐压的增加,场限环终端在效率、占用面积方面的劣势也越发明显。结合横向变掺杂的原理,在成熟的场限环工艺基础上,只更改深阱杂质注入窗口大小与距离,设计了一种800 V VDMOS终端结构,击穿电压仿真值达到938.5 V,为平行平面结击穿电压的93.29%,有效终端长度仅为137.4 μm。     

数字电路中的电磁兼容设计

该文对数字电路中由信号和时钟电路产生电磁干扰的机理进行了详细的分析和讨论,提出了对信号辐射干扰和时钟电路干扰的有效解决方法,并为电路的设计提供了抑制干扰的一些准则.     

电视天线放大器的实验研究与发展分析

通过制作、仿真及测试,研究并讨论了分立元件电视天线放大器的工作原理及特性。利用Protel进行电路板设计,使用Electronics Workbench对其进行仿真,并用扫频仪和电视机实际测试,得到了测试指标、实际应用效果和总体性能。最后对放大器的发展前景进行了探讨。     

电流模式控制的DC-DC变换器中电流环的设计

电流反馈环路是开关变换器中重要的模块之一,主要分析了常用的SENSEFET技术的不足,提出了一种优于SENSEFET技术的电流检测电路.该电路通过检测功率管上的压降反应电感电流的变化,利用工作在线性区的PM06管代替电阻,采用体偏置跨导增大环路增益,提高检测精度,使输出检测电流与电感电流的比率几乎不受温度,工艺,电源电压等因素的影响.同时设计了一种自适应斜坡补偿电路,可根据输入,输出电压自动调节补偿斜率,有效解决了传统固定斜率斜坡补偿所产生的带载能力降低的问题.电路的输入电压范围为2.5～5.5V,工作频率为1MHz,可精确检测0～3.5A的电感电流,适用于大电流的开关变换器.     

两级运放中共模反馈电路的分析与设计

在两级共源共栅CMOS运算放大器中,设计了一种新的共模反馈电路。这种电路克服了一般共模反馈电路存在的限制输出摆幅的缺点,在稳定电路直流工作点的同时,能有效提高电路的输出摆幅。通过对共模电路结构的分析,证明了其功能原理的正确性。基于0.18μm(3V)CMOS工艺库,用Hspice软件对电路结构进行了仿真验证。结果显示,电路低频增益达到120dB,功耗不到0.24mW。     

650 V IGBT横向变掺杂终端的设计与优化

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)器件的最重要参数之一是击穿电压(Breakdown Voltage, BV),影响IGBT器件BV的因素包括：平面工艺PN结扩散终端、界面电荷、杂质在Si、SiO₂中具有不同分凝系数等。其中影响IGBT器件耐压能力的重要因素是芯片终端结构的设计,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了BV的提升,为了能够减少曲率效应和增大BV,可以采取边缘终端技术。通过Sentaurus TCAD计算机仿真软件,采取横向变掺杂(Variable Lateral Doping, VLD)技术,设计了一款650 V IGBT功率器件终端,在VLD区域利用掩膜技术刻蚀掉一定的硅,形成浅凹陷结构。仿真结果表明,这一结构实现了897 V的耐压,终端长度为256μm,与同等耐压水平的场限环终端结构相比,终端长度减小了19.42%,且最大表面电场强度为1.73×10⁵ V/cm,小于硅的临界击穿电场强度(2.5×10⁵ V/cm);能在极大降低芯片面积的同...     

一种沟槽-场限环复合终端结构的设计

为了改善硅功率器件击穿电压性能以及改善IGBT电流的流动方向,提出了一种沟槽-场限环复合终端结构。分别在主结处引入浮空多晶硅沟槽,在场限环的左侧引入带介质的沟槽,沟槽右侧与场限环左侧横向扩展界面刚好交接。结果表明,这一结构改善了IGBT主结电流丝分布,将一部分电流路径改为纵向流动,改变了碰撞电离路径,在提高主结电势的同时也提高器件终端结构的可靠性;带介质槽的场限环结构进一步缩短了终端长度,其横纵耗尽比为3.79,较传统设计的场限环结构横纵耗尽比减少了1.48%,硅片利用率提高,进而减小芯片面积,节约制造成本。此方法在场限环终端设计中非常有效。     

变抽头长度LMS自适应滤波算法

该文将自适应滤波器抽头长度与权值调整问题归结为单一的权值调整问题,提出了抽头长度的一般更新公式及新的变抽头长度LMS算法,从理论上分析了其合理性与收敛性。新算法用长滤波器与短滤波器的时平均平方误差估计稳态均方误差,采用了自适应调整的抽头长度步长,可在滤波器权值未收敛时就快速更新抽头长度。论文还证明了目前文献中几种有效的变抽头长度算法也可看作或化为文中抽头长度一般更新公式的特例,理论分析与自适应系统辨识的仿真结果验证了新算法的有效性。     

一种具有输出限压功能的电荷泵的设计

在传统的电荷泵中,通常将更多的设计重点放在电荷泵的升压效率问题上。但是,在低电压工艺中,过高的电压会让MOS管处于被击穿的危险之中,同时,开关管的导通电阻随电源电压的变化很明显。针对上述问题,提出了一种具有输出限压功能的电荷泵。采用0.5 μm UMC工艺,利用Cadence和Hspice软件进行电路设计与仿真。结果表明,当电源电压在2.7~5.5 V范围内变化时,电荷泵的输出电压可控制在一定范围内,并且开关管的导通电阻变化很小。     

一种高精度过温保护电路的设计

基于UMC 0.25um BCD工艺,设计了一款高精度过温保护电路。通过基准电路中三极管的基极-发射极电压的负温度特性实现温度检测,调节电阻的比值产生迟滞温度量,避免了电路热振荡现象。经过HSPICE仿真验证,电路在温度130℃时,过温保护信号发生翻转,关断芯片,待温度降低到99℃时再次开启,具有31℃迟滞量。在电源电压变化时,过温保护电路的过温阈值和迟滞温度量偏差最大仅为0.24℃。