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砂磨粉碎制备SiC超细粉体 总被引:5,自引:0,他引:5
砂磨粉碎是制备超细陶瓷粉体的有效途径之一,避免了传统球磨、酸洗工艺对环境的污染。本文采用砂磨粉碎工艺制备SiC超细粉体,研究了砂磨粉碎制备过程中料浆固含量、球料比和砂6磨时间等工艺条件对粉体尺寸和尺寸分布的影响,在一定工艺条件下,将中位粒径为7.3um的高纯SiC粗粉砂磨粉碎18hr,得到了中位粒径为0.47um、粉体尺寸分布范围窄、氧含量小于1.5wt%的超细SiC粉体。 相似文献
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透明陶瓷——无机材料研究与发展重要方向之一 总被引:4,自引:0,他引:4
透明陶瓷是在纳米材料科学与技术和先进陶瓷制备科学发展的基础上,集结构与功能一体化于一身的重要材料,它将为国民经济各个领域的发展和国防工业中高科技项目的发展提供关键材料.同时陶瓷从传统不透明→半透明→接近完全透明涉及到大量基础科学问题,尤其是材料的微结构(包括气孔、晶界、晶粒尺寸、形貌等等)对光物理的影响还不十分清楚,因此作为无机材料研究与发展的重要方向之一,需要化学、物理、材料、激光等各个学科领域的共同努力.本文着重介绍透明陶瓷的研究进展. 相似文献
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碳化硅网眼多孔陶瓷的制备 总被引:28,自引:0,他引:28
本工作采用有机泡沫浸渍工艺制备了具有相互贯通气孔的碳化硅网眼多孔陶瓷.通过选择合适的流变剂获得了对海绵具有良好涂覆性能的浆料.探讨了粘结剂对网眼多孔陶瓷性能的影响,结果表明:硅溶胶是一种比较理想的粘结剂.XRD、SEM研究了烧结制品的晶相组成及显微结构,同时还对烧结制品的孔筋密度、气孔率、力学性能等进行了表征.本工作在1450℃下保温1h获得了气孔率为75%~85%、抗弯强度达2.5MPa以上的碳化硅网眼多孔陶瓷,其主要晶相由α-SiC、α-Al2O3、方石英和莫来石组成. 相似文献
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以六甲基二硅胺烷(HMDS)作为硅源和碳源,H2为载气,Ar为稀释气体,前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室,通过等温化学气相渗透法(Isothermal Chemical vapor Infiltration,ICVI)在SiC纤维表面沉积SiC涂层.通过控制沉积温度来控制涂层的表面形貌、厚度.研究表明,在1100℃沉积的涂层中开始有β-SiC晶相析出,适当降低沉积温度至950℃可以防止残余碳在反应室的富集,在950℃时SiC的沉积厚度与沉积时间呈近线性关系. 相似文献
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采用传统机械加工方法研究了碳化硅陶瓷密度对光学镜面加工质量的影响,指出碳化硅陶瓷密度对光学镜面加工质量有一定影响,但在一定密度范围内,通过改善光学镜面加工工艺均可得到较好的表面质量.通过对加工机理的分析得出,在碳化硅陶瓷光学镜面加工过程中,材料去除方式与磨粒尺寸有关,选择适当的磨粒尺寸可实现材料去除方式由晶粒去除向延性去除的转变,从而有效地降低表面粗糙度. 相似文献
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烧结温度对Cf/SiC复合材料结构及性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以碳纤维为增强体, 热压烧结制备了Cf/SiC复合材料, 研究了烧结温度对Cf/SiC复合材料密度、结构及性能的影响. 研究发现: 提高烧结温度能够促进Cf/SiC复合材料的致密度; 当烧结温度低于1850℃时, 升高烧结温度, 复合材料的强度和断裂韧性也随之提高. 当烧结温度为1850℃时, 复合材料的性能最优, 弯曲强度达500.1MPa, 断裂韧性为16.9MPa·m 1/2. 当烧结温度达到1880℃时, 复合材料性能反而下降. 相似文献
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