| 以HMDS为前驱体沉积SiC涂层的研究 |
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| 引用本文： | 朱云洲,黄政仁,董绍明,袁明,江东亮.以HMDS为前驱体沉积SiC涂层的研究[J].稀有金属材料与工程,2008,37(Z1):797-799. |
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| 作者姓名： | 朱云洲 黄政仁 董绍明 袁明 江东亮 |
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| 作者单位： | 中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 以六甲基二硅胺烷(HMDS)作为硅源和碳源,H2为载气,Ar为稀释气体,前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室,通过等温化学气相渗透法(Isothermal Chemical vapor Infiltration,ICVI)在SiC纤维表面沉积SiC涂层.通过控制沉积温度来控制涂层的表面形貌、厚度.研究表明,在1100℃沉积的涂层中开始有β-SiC晶相析出,适当降低沉积温度至950℃可以防止残余碳在反应室的富集,在950℃时SiC的沉积厚度与沉积时间呈近线性关系.
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 SiC涂层 HMDS 前驱体 沉积时间 涂层 研究 Precursor 线性关系 沉积厚度 富集 相析出 表面形貌 沉积温度 控制 表面沉积 纤维 ICVI Isothermal Chemical vapor Infiltration 等温化学气相渗透法 反应室 鼓泡法 |
| 文章编号： | 1002-185X(2008)S1-797-03 |
| 修稿时间： | 2007年9月14日 |
CVD SiC Coatings from the HMDS Precursor |
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| Zhu Yunzhou,Huang Zhengren,Dong Shaoming,Yuan Ming,Jiang Dongliang.CVD SiC Coatings from the HMDS Precursor[J].Rare Metal Materials and Engineering,2008,37(Z1):797-799. |
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| Authors: | Zhu Yunzhou Huang Zhengren Dong Shaoming Yuan Ming Jiang Dongliang |
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