低温烧结AW-Al2O3生物活性水基流延膜

为了实现Ａｌ２Ｏ３和羟基磷灰石（ＨＡＰ）的同步烧结,必须降底Ａｌ２Ｏ３的烧结温度,选用具有生物活性和较低熔点的Ａ／Ｗ生物玻璃作为Ａｌ２Ｏ３液相烧结的添加剂,利用流延成型工艺,制得了适合流延成型的水基Ａ／Ｗ－Ａｌ２Ｏ３浆料及流延膜,分析了影响浆料及流延成型的各种因素。在烧结过程中,由于玻璃挥发而导致失重,所以样品的密度受烧结温度和烧结时间的影响,但在１３００℃时,１０ｗｔ％Ａ／Ｗ－Ａｌ２Ｏ３的烧结密     

SiC—Al2O3基复相陶瓷的N2—HIP研究

通过对热压ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３复合材料进行了Ｎ２－ＨＩＰ后处理，制备得到Ｓｉ３Ｎ４－ＡｌＮ＝ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３梯度材料，经Ｎ２－ＨＩＰ处理后，材料抗弯强度提高３５％－９５％，并得到经强度达１０３０ＭＰａ的ＳｉｅＮ４－ＡｌＮ／ＳｉＣｐ－ＳｉＣＷ－Ａｌ２Ｏ３复合材料。     

SiC和Si_3N_4纳米陶瓷粉体制备技术

纳米材料科学是近年来兴起的新的科学领域，纳米粉体的制备则是纳米材料研究的主要方面。本文比较详细地介绍了制备碳化物、氮化物纳米陶瓷粉体的四种主要工艺：热化学气相反应法、激光诱导化学气相沉积法、等离子气相合成法和溶胶凝胶法。对于目前碳化物、氮化物纳米陶瓷粉体的制备工艺和目前水平作了一个总体概括     

复相陶瓷

从陶瓷发展历史过程与相应社会发展需求说明复相陶瓷的研究是当前结构陶瓷发展的重要研究方向之一。简要介绍了复相陶瓷的组份设计的主要依据是物理化学性能上相互匹配,以及制备科学和工艺方案选择合理性。从近年来对复相材料的研究发展举出若干成功例子,其中以纳米级复合材料性能更佳,可能是发展高强高韧结构材料的一个主要方向。最后对复相陶瓷的强化增韧机理加以综述。     

碳化硅陶瓷粉末制备的发展

本文简要的介绍了碳化硅原料制备技术的进展，着重描述八十年代后期运用Ｌａｓｅｒ，Ｐｌａｓｍａ，ＣＶＤ等技术高温裂解有机物和Ｓｏｌ－Ｇｅｌ等方法制备超细，超纯，复相碳化硅陶瓷粉末的方法与性能，以期获得高性能的碳化硅结构陶瓷。     

多孔陶瓷的制备、性能及应用：（I）多孔陶瓷的制造工艺

多孔陶瓷的制备方法很多，其成孔机理主要有机械挤出、颗粒堆积、成孔剂、发泡、多孔模板、凝结结构成孔。本文根据成孔机理的不同综述了多孔陶瓷的制备工艺最新研究进展。     

碳化硅泡沫陶瓷烧结温度和烧结机理的研究

将制备碳化硅泡沫陶瓷的浆料通过烘干、制粉、干压成型、烧结来探讨烧结温度对制品性能的影响。试验结果表明样品的最高抗弯强度出现在1400℃、保温2h的工艺条件下，而不是更高的烧结温度1450℃。主要原因在于过高的烧结温度导致碳化硅氧化严重，生成了大量的方石英，方石英在随后的冷却过程中出现微裂纹所致。而碳化硅泡沫陶瓷的烧结机理主要是玻璃相对碳化硅颗粒的包覆、连接作用和新相莫来石的生成。     

碳化硅陶瓷的铬金属化机理及封接

研究了碳化硅(SiC)陶瓷表面铬金属化机理及SiC-SiC和SiC-Cu的封接技术。SiC在1000—1250℃真空环境中表面铬金属化,然后利用铜基合金钎焊封接.8iC—SiC封接体的室温四点抗弯强度平均值为103MPa,最大值140MPa。 对接合界面结构的研究发现Cr扩散入SiC基体并在界面处存在着反应层Cr_3C_2,同时si逸失。在SiC与金属Cr之间形成Cr_3C_2,表明SiC的封接是可行的。     

强制脉冲 CVI沉积 C纤维表面涂层的工艺研究

以MTS／H2为前驱物，采用强制脉冲CVI（FP-CVI）方法，进行了在C纤维表面沉积SiC涂层的研究，并探讨了其工艺过程．结果表明，在1000-1100℃和（5-25）kPa，沉积得到的β—SiC具有明显的（111）面取向，涂层均匀一致，厚度可控．在实验过程中，随着单次驻留时间和脉冲次数的增加，涂层厚度也随之增加，涂层厚度与脉冲次数成非线性关系．当脉冲次数为300时，C纤维表面沉积SiC层后其质量增加达到36．18％．     

氮化硅针晶的分离研

结合氮化硅浆料的悬浮性能,提出了液相分离针晶的新方法。测出了粉体的zeta电位。探讨了pH值和分散剂的含量对浆料的悬浮性能的影响,并对浆料做了沉降分析。结果表明,当DarvanC的含量为0.15wt%,pH值为10时,浆料的性能满足分离要求。SEM显示,分离后,针晶中已经基本没有球状颗粒。