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周继承 《固体电子学研究与进展》1999,19(4):423-427
用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Si+ /B+ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明:Si+ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应;快速热退火Si+ /B+ 注入样品,其注入损伤基本消除,残留二次缺陷少,硼原子电激活率高;优化与控制快速热退火条件和Si+ /B+ 注入参数,制备出了电学特性优良的浅p+ n 结,其二极管反偏漏电流仅为1.9 nA·cm - 2(- 1.4V)。 相似文献
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本文用椭圆偏振光谱法研究了低温(77K)、中等能量(147keV)、剂量分别为3×1013及4×1013ions/cm2的BF2+分子离子注人Si的损伤及退火效应.根据样品椭圆偏振参数与C-Si的比较确定退火后晶格恢复的程度.结果表明,椭偏测量是研究分子离子注入Si的有用工具;BF注入硅样品的退火转变温度在500℃以下;并获得在某些实验条件下的最佳退火温度和最佳退火时间。 相似文献
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本文对30kev Si^+和分子离子SiF^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研究对比。注入Si^2+样品的Si原子纵向分布与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光900℃10″RTA,电激活率可达60%,电化学C-V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAs有源层。而注入分子离子SiF^+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用 相似文献
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研究了高能Ar^+注入对P^+薄层特性的影响。结果表明,正面高能Ar^+注入能在有源区下隐埋一层缺陷带,可有效地净化表面有源区。用高能Ar^+/B^+注入制备出了反向漏电流仅1.9mA/cm^2(-1.4V)的二极管。 相似文献
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本文利用卢瑟福背散射及沟道(RBS/C)技术,二次离子质谱(SIMS)技术等研究了MeVSi离子束轰击对BF2注入Si样品特性的影响.结果表明,退火后在BF2注入形成的PN结结区内仍有大量的二次缺陷.退火前附加一次MeVSi离子轰击可以有效地消除BF2注入区内的二次缺陷,抑制B原子的扩散,并提高B原子的电激活率. 相似文献
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BF2^+注入硅栅PMOSFETγ辐照效应 总被引:1,自引:0,他引:1
本文系统地研究了BF2^+注入硅栅PMOSFET阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了BF2^+注入抗γ辐照加固的机理。结果表明,BF2^+注入是一种抗γ辐照加固的新方法。 相似文献
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通过改变紫外线辐照能量,研究了BaFCl:Eu^2+的光激励发光性质,发现当紫外线能量大于或小于Eu^2+最低激发态能量两种情况下,光激励发光有明显的差异,还分析了产生差异的原因,并且给出了紫外线辐照能量与F/Cl比值的关系。 相似文献
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BF2^+注入多晶硅栅的SIMS分析 总被引:1,自引:0,他引:1
文本采用SIMS技术,分析了BF2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性,结果表明,80keV,2×10^15和5×10^15cm^-2BF2^+注入多晶硅栅经过900℃,min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中,F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。 相似文献
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针对Si-SiO2过渡区对于离子注入较为敏感的特点,用1.2MeV,剂量1×1010cm-2的Fe+和H+先后注入SiO2-Si样品,并用XPS技术重点分析了Si-SiO2界面附近硅的化学结构、组分的变化。结果表明,在界面附近,除了Si4+,Si0价态,还存在明显的Si2+价态。这和注入H+产生的高温退火以及Si—Si键或Si—H键的形成有关。 相似文献
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采用静电计测量了BF ̄+2、F ̄+B ̄+和Ar ̄++B ̄+注入硅RTA二极管的反向漏电流;借助高压透射电镜观察了BF ̄+2、F ̄++B“和Ar ̄++B ̄+注入硅RTA剩余损伤;深入讨论了剩余损伤对二极管反向漏电流的影响。结果表明,1)BF ̄+2注入二极管的反向漏电流最小,2)注入层剩余损伤和RTA期间导致的热应力可能是影响二极管反向漏电流的主要原因。 相似文献
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固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~+p浅结技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过As+离子注入到由TiN/Co/Ti/Si多层结构因相反应得到的外延CoSi2层中,利用外延硅化物作为扩散源(ESADS),形成了0.1μm的浅n+p结.研究了Cosi2外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的n+p浅结特性.实验结果表明:外延CoSi2层在非晶化后能有效地再结晶;As原子在多晶CoSi2/Si结构和单晶CoSi2/Si结构中有着不同的再分布特性;同相应的以多晶CoSi2作为扩散源形成的结相比,以外延CoSi2作为扩散源形成的结反向漏电小1~2个数量级, 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As^+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究,并与未注入As^+的Si0\57Ge0\43合金的应变驰豫进行了比较。结表明,退火后,注入As^+的 Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入As^+的应变分布。对于注入As^+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变驰豫导致镶嵌结构的产生而展宽。 相似文献
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SIMOX材料注F+后的SIMS分析 总被引:1,自引:0,他引:1
实验中采用三种剂量注入SIMOX材料中,注入剂量分别为5×10^12F^+/cm*^2,5×10^13F^+/cm^2,1×10^5F^+/cm^2,用SIMS技术了F在材料中的浓度分析,结果表明,随着注F^+能量和剂量的改变,F^+在材料中的深度分布也相应改变。 相似文献
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用激光加热基座法生长了Er:YAG、(Nd、Er):YAG和Nd:YAG单晶光纤,测试了单晶光纤的透过率谱和Er^3+离子^4I11/2、^4I13/2态,Nd^2+离子^4F3/2态的固有寿命τ0,双掺晶体中这些态的平均寿命τ0。讨论了Nd^3+离子对Er^3+离子的敏化作用。 相似文献
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将具有能量92ke V、剂量1×1015/cm 2 的 B F+ 注入由 P E C V D 方法制备的a Si∶ H 薄膜中,然后用功率为 60 W 、束斑直径 02cm 的 C W C O2 激光器进行 10s 快速退火。再用扫描电子显微镜( S E M)进行显微形貌观察。分析结果指出:由于 B F+ 的注入,使a Si∶ H 薄膜中产生了多重结构缺陷,其表面轮廓是类似矩形和方形的图形;发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。 相似文献