不同剂量BF^＋2注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析

借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０１４、５×１０１４、１×１０１５、２×１０１５和３×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在９００℃、３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分布剖面，并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。     

SOI—21世纪的硅集成电路技术

本文扼要介绍SOI材料的制备技术、SOI的优越性以及SOI的应用。     

BF_2~+,F~+ +B~+和Ar~++B~+注入硅快速退火剩余损伤及对浅P~+N结的影响(英文)

The residual damage is analysed by transmission electron microscopy (TEM) for BF2+, F+ + B+ and Ar+ + B+ implanted silicon after rapid thermal annealing(RTA). And the reverse leakage current of the implanted diodes is measured using a FJ-356 electrometer. The results show that 1 ) The residual damage due to BF2+ implantation is less than that of F+ + B + and Ar++ B+ implantation. 2) The reverse leakage current of BF2+ implanted diodes is less than that of F+ + B+ and Ar++ B + implanted diodes. 3) The reverse leakage current of F++B+ and Ar++ B+ implanted diodes increases with the increase of F+ and Ar+ energies, respectively. Therefore the physical behaviour of the interaction between molecular ion and silicon is different from that of the interaction between individual atom ion and silicon.     

BF_2~+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着Ｆ的扩散，而且还存在着Ｆ的发射和吸收，据此成功地解释了实验结果．     

P-阱、沟道区离子注入分布特性的测试分析与计算机模拟

CMOS集成电路在LSI、VLSI中占有显著地位,它是当今乃至今后一段时期集成电路发展的主流。研究CMOSIC沟道、P~-阱注入杂质的分布和再分布规律,对于指导工艺实践和提高电路性能具有现实意义。     

HBr反应离子刻蚀微米硅深槽

采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体,用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜,在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上,刻出槽宽１．２μｍ,槽深０．８μｍ的硅深槽,并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析．     

BF2+注入多晶硅栅的SIMS分析

文本采用SIMS技术,分析了BF₂⁺注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO₂中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10¹⁵和5×10¹⁵cm^-2 BF₂⁺注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO₂中。F在多晶硅和SiO₂中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。     

I~2L多值逻辑电路综述

本文论述了发展 I~2L 多值逻辑电路的意义;分析了 I~2L 多值逻辑电路的基本单元:I~2L 阈值检测器,折叠收集极 I~2L 单元;介绍了 I~2L 多值逻辑电路的基本函数及其电路:补函数,后继函数,文字函数,最大函数,最小函数;并对 I~2L 四值逻辑电路作了较详细的介绍:四值全加器、四值多路调制器、四值数字转换器、四值乘法器、四值 ROM 等。     

BF_2~+注入多晶硅栅的SIMS分析

文本采用SIMS技术,分析了BF_2~+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO_2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10~(15)和5×10~(15)cm~(-2) BF_2~+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO_a中。F在多晶硅和SiO_2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。     

低剂量率下MOS器件的辐照效应

对MOS器件在低剂量率γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明，偏置在MOS器件栅氧化层内产生电场，增强了辐照产生电子-空穴对的分离，同时，影响了正电荷（包括空穴和氢离子）的运动状态；此外，偏置对退火同样有促进作用。