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1.
在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心. 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
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采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在GaAs(100)衬底上进行了InSb薄膜的分析束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现:不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。 相似文献
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采用化学束外延(CBE)技术,以三乙基镓(TEG)和砷烷(AsH3)为源,在Si(001)衬底上生长GaAs薄膜.利用Hall效应、卢瑟福背散射(RBS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)检测了外延层的质量.结果表明,GaAs薄膜具有n型导电性,载流子浓度为1.3×1015cm-3,其杂质估计是Si,它来自衬底的自扩散.外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善.在GaAs/Si界面及其附近,存在高密度的结构缺陷,包括失配位错、堆垛层错和孪晶.这些缺陷完全缓解了GaAs外延层和Si衬底之间因晶格失配引 相似文献
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采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在G8As(100)衬底上进行了InSb薄膜的分子束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现。不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。 相似文献
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本文利用椭圆偏振光谱法测量了用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的AlGaInP及AlGaInP掺Si两个样品,在可见光区室温下的光学常数,求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论(EMA)和线性内插法计算了样品中Al的组分,并与X射线微区分析法(能谱法)的测量结果加以比较,三者结果相符。 相似文献
8.
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的,对GaAs1-xSbx/GaAs这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究,利用国产MBEIII型设备外延生长了全组分的GaAs1-xSbx材料,化学热力学数据分析表明,Sb结合到GaAssb中的速率比As高得多,实验表明,合金组分可由Sb/Ga束流比控制,也发现Sb束流的支配作用随温度升高而降低.利用TEM和RBS技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量,实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸,可以获得较高晶体质量的外延层. 相似文献
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本文用椭圆偏振光谱法研究了低温(77K)、中等能量(147keV)、剂量分别为3×1013及4×1013ions/cm2的BF2+分子离子注人Si的损伤及退火效应.根据样品椭圆偏振参数与C-Si的比较确定退火后晶格恢复的程度.结果表明,椭偏测量是研究分子离子注入Si的有用工具;BF注入硅样品的退火转变温度在500℃以下;并获得在某些实验条件下的最佳退火温度和最佳退火时间。 相似文献
10.
用分子束外延法(MBE)分别在经(NH4)2Sx溶液和S2Cl2溶液钝化的GaAs(100)衬底上生长了ZnSe薄膜.用室温喇曼光谱对不同处理方法的GaAs上所长ZnSe薄膜的晶体质量和ZnSe/GaAs界面进行对比研究.用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系.根据GaAs的LO-等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化,分析了不同S钝化方法对ZnSe/GaAs界面以及ZnSe薄膜质量的影响.结果表明,S2Cl2溶液钝化的ZnSe/GaAs样品具有较低的界面态密度和较好的 相似文献
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GaAs表面S钝化方法:S气氛辉光放电法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了一种新的GaAs表面S钝化方法──S气氛辉光放电法.用光致发光光谱(PL)结合俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了辉光放电S钝化的GaAs(100)表面.结果表明,与未处理的样品相比,用该方法处理后的表面复合速率大大降低,PL强度提高了将近两个数量级,而且稳定.AES谱和XPS谱测量结果表明用S气氛辉光放电的方法在GaAs(100)表面上形成了较厚的GaS薄膜. 相似文献
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本文以开发长波长半导体光电子材料为目的,对GaAs1-xSbx/GaAs这一大失配质结材料开展了较为深入的研究,利用国产MBEIII型设备外延生长了全组分的GaAs1-xSbx材料,化学热力学数据分析表明Sb结合到GaAsSb中的速率比As高得多,实验表明,合金组分可由Sb/Ga束流比控制,也发现Sb束流的支配使用随温度升高而降低,利用TEM和RBS技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量,实验表明 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As^+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究,并与未注入As^+的Si0\57Ge0\43合金的应变驰豫进行了比较。结表明,退火后,注入As^+的 Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入As^+的应变分布。对于注入As^+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变驰豫导致镶嵌结构的产生而展宽。 相似文献
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本文报道了采用含有InSb非晶过渡层的两步MBE生长技术,在GaAs(100)衬底上异质外延生长的InSb外延层材料特性及初步的器件性能。5μm厚的n型本征InSb外延层77K时的电子浓度和迁移率分别为:n~2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3),μ~5.12×10 ̄4cm ̄2V ̄9-1)s ̄(-1),高质量InSb外延层的X射线双晶衍射半峰宽(FWHM)<150″。InSb表面的相衬显微形貌,InSb/GaAs界面的TEM形貌相和InSb外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了MBEInSb外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用MBE生长的n型InSb外延层薄膜首次制作了中波(3~5μm)多元光导线列器件,终测表明,器件的光导响应率较高R(V)~7800V/W,均匀性很好ΔR(V)/R(V)<7%,MBEInSb外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。 相似文献
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对在GaAs(001)、Al2O3(0001)和Si(111)等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到了α相GaN的A1(LO)模、A1(TO)模、E1(LO)模和E2模.结合X射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN的喇曼谱与GaN外延层的结构相、完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段.对含有少量β相GaN样品,观测到了包含有β相GaN贡献的声子模式(740cm-1). 相似文献
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应用DLTS、SIMS和PL技术详细研究MBE生长的PM-HEMT结构中深能级.样品的DLTS谱表明在PM-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱,其能级位置分别位于导带下的0.64eV和0.79eV处.SIMS和PL谱表明深电子陷阱与AlGaAs层里的氧含量和光致发光(PL)响应有直接的联系.它们影响PM-HEMT结构的电性能.应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理,结果表明,在一定条件下,PM-HEMT结构样品里的深电子陷阱能有效地被钝化/消除. 相似文献
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我们制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)M/(AlAs)M厂超晶格样品并测量了其椭偏光谱.对这些样品的光频介电函数港进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样品作出的,并给出相应的介电函数谱曲线.在光子能量3.5~4.5eV范围的E1峰与瓦峰附近的实验谱的主要特征,与理论计算结果相一致实验谱中的E1峰比理论谱要强些,不同M值的超晶格样品之间的E1峰之差异也大于理论结果。 相似文献