As^+注入Si1—xGex中应变驰豫的双晶X射线衍射研究 |
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引用本文: | 邹吕凡,王占国.As^+注入Si1—xGex中应变驰豫的双晶X射线衍射研究[J].半导体学报,1996,17(12):946-950. |
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作者姓名: | 邹吕凡 王占国 |
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摘 要: | 作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As^+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究,并与未注入As^+的Si0\57Ge0\43合金的应变驰豫进行了比较。结表明,退火后,注入As^+的 Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入As^+的应变分布。对于注入As^+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变驰豫导致镶嵌结构的产生而展宽。
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关 键 词: | 砷离注入 Sid1-xGex 应变驰豫 X射线衍射 |
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