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为了满足无线通信系统应用需要,设计了一种主从耦合式LC压控振荡器(VCO).基于0.18 μm CMOS标准工艺,由一个5 GHz主VCO和两个起分频作用的从VCO组成,其中主VCO选用PMOS考毕兹差分振荡结构,在两个互补交叉耦合的从VCO的输出端之间设置有注入式NMOS器件以达到分频的目的.仿真及硬件电路实验结果表明,在1.8 V低电源电压下,5 GHz主VCO的调谐范围为4.68~5.76 GHz,2.5 GHz从VCO的调谐范围为2.32~2.84 GHz;在1 MHz的偏频下,5 GHz主VCO的相位噪声为118.2 dBc/Hz,2.5 GHz从VCO的相位噪声为124.4 dBc/Hz.另外,主从VCO的功耗分别为6.8 mW和7.9 mW,因此特别适用于低功耗、超高频短距离无线通信系统中. 相似文献
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基于SiGe BiCMOS技术的低功耗23G VCO 总被引:3,自引:3,他引:0
A 23 GHz voltage controlled oscillator(VCO) with very low power consumption is presented.This paper presents the design and measurement of an integrated millimeter wave VCO.This VCO employs an on-chip inductor and MOS varactor to form a high Q resonator.The VCO RFIC was implemented in a 0.18μm 120 GHz f_t SiGe hetero-junction bipolar transistor(HBT) BiCMOS technology.The VCO oscillation frequency is around 23 GHz,targeting at the ultra wideband(UWB) and short range radar applications.The core of the VCO circuit consumes 1 mA current from a 2.5 V power supply and the VCO phase noise was measured at around -94 dBc/Hz at a 1 MHz frequency offset.The FOM of the VCO is -177 dBc/Hz. 相似文献
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An Ultra Wideband VHF CMOS LC VCO 总被引:5,自引:3,他引:2
实现了一个宽频带VHF频段CMOS VCO.其最大的改进在于将振荡器中交叉耦合MOS管分为并联可开关的若干段.这样使其特性可以在较大范围内补偿VCO调频过程中状态的变化.该VCO使用标准0.18μmCMOS工艺制作,核心版图面积约为550μm×700μm.测试结果表明:该VCO频率覆盖范围为31~111MHz;功耗为0.3~6.9mW;在100kHz频偏处相位噪声约-110dBc/Hz. 相似文献
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在无线射频接收机中,压控振荡器(VCO)的相位噪声对灵敏度影响很大,因此低相位噪声的VCO设计是人们研究的一个热点.在Hajimiri的相位噪声分析模型的基础上,提出了交叉耦合LC VCO的相位噪声解析模型,模型的计算结果与实际流片测试结果比较接近.该模型可以比较直观地观察相位噪声与电路参数的关系,对VCO的设计有一定的指导作用. 相似文献
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低抖动锁相环中压控振荡器的设计 总被引:2,自引:2,他引:0
压控振荡器(VC0)作为PLL系统中的关键模块,其相位噪声对PLL相位噪声和抖动产生决定性影响.在对PLl系统噪声及VCO相位噪声分析的基础上,基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一款低相位噪声两级差分环形VCO.Spectre RF仿真结果表明,VCO频率调谐范围为524 MHz~1.1 GHZ,增益最大值Kvco为-636.7 MHz/V,900 MHz下VCO相位噪声为-116.2dBc/Hz@1 MHz,功耗为21.2 mW.系统仿真结果表明,VCO相位噪声对PLL抖动的贡献小于1 ps. 相似文献
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本文介绍两个实用的VCO电路。第一个VCO由运算放大器、乘法器和RC网络构成;第二个VCO是第一个VCO的改进。文中给出了实验结果。 相似文献
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提出了一种基于PCB工艺的L波段宽带低相噪VCO电路拓扑结构.采用基极和发射极双端调谐的方式,并引入可变电容反馈,实现了电路的超宽带.同时在低损耗的FR4基板上制作微带小电感以形成高Q谐振器,降低了VCO的相位噪声.基于此方法设计得到的L波段宽带VCO比同类薄膜工艺产品相位噪声低了5 dB以上. 相似文献