低偏振灵敏度半导体光放大器

报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器 (SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益 ,使之接近TE模的增益 ,从而使SOA的偏振灵敏度大为降低。在 150mA的偏置下 ,获得了 2 4dB的小信号增益和 1dB的偏振灵敏度。     

2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性进行了改进,并采用标准１４脚碟型管壳对集成器件进行了封装。封装后的发射模块阈值电流约为２０￣３０ｍＡ,边模抑制比大于４０ｄＢ,耦合输出光功率大于２ｍＶ,在３Ｖ的反向调制民压下消光比约为１７ｄＢ。我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输     

MOVPE生成AlGaInAs/InP应变量子阱材料研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试,通过二次离子质谱仪(SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响,通过采用高纯原料和纯化载气,生长出了较高质量的AlGaInAs应变量子阱材料氧含量小,光荧光强度大(25mW,PL=0.3),光荧光谱线窄(FWHM=31meV)。     

MOVPE生成AlGaInAs／InP应变量子阱材料研究

用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二 次离子质谱仪（SIMS）的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响，通过采用高纯原料和纯化载气，生长出了较高质量的AlGaInAs应变量子阱材料：氧含量小，光荧光强度大（25－mW,PL=0.3)，光荧光谱线窄（FWHM＝31meV)。     

1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析

本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器,并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈值电流,ＴＭ模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低,ＴＭ模式的斜率效率和总的斜率效率在一定温度范围内随温度升高而升高．测试了不同电流和温度下的偏振激射谱,两种激射谱随电流和温度改变都有很大变化,表明ＴＥ和ＴＭ激射模式之间有强烈的互作用．我们认为可能是由载流子分布与强激光辐射之间的非线性效应引起的．     

1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件

本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．     

MOVPE生长1.3 μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。采用此外延材料成功制作了 1 3μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器 ,器件测试结果为 :激射波长 :12 90nm≤ λ≤ 1330nm ;阈值电流 :Ith(2 5℃ )≤15mA ;Ith(85℃ )≤ 2 5mA ;量子效率变化 :Δηex(2 5～ 85℃ )≤ 1 0dB。     

2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准１４脚蝶型管壳对集成器件进行了封装．封装后的发射模块阈值电流约为２０～３０ｍＡ,边模抑制比大于４０ｄＢ,耦合输出光功率大于２ｍＷ,在３Ｖ的反向调制电压下消光比约为１７ｄＢ．我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输实验．经过２４０ｋｍ普通单模光纤传输后,在误码率为１０－１０的情况下功率代价小于０．５ｄＢ．     

1.3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析

１．３μｍ量子阱ＬＤ的工艺研究和特性分析金锦炎，李同宁，刘涛，李云樵，王任凡，刘自力（武汉电信器件公司）１引言１．３μｍ波长激光器作为光通信光源，正由有致冷向无致冷转化。量子阱激光器阈值电流低、温度特性好，因此是无致冷激光器的最佳选择［１～２］。我们...