低偏振灵敏度半导体光放大器

报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器 (SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益 ,使之接近TE模的增益 ,从而使SOA的偏振灵敏度大为降低。在 150mA的偏置下 ,获得了 2 4dB的小信号增益和 1dB的偏振灵敏度。     

级联SOA回波损耗分析

采用回波损耗分析方法,研究了单个半导体光放大器(SOA)模块和级联SOA的反馈抑制问题。拉锥光纤直接耦合SOA的净增益难以超过14dB。提出了一种采用光隔离器和斜端面光纤耦合SOA结构,可望获得高于20dB的净增益。     

E-PON系统突发模式光收发一体模块设计

本文介绍了E-PON系统以及对OLT和ONU收发一体模块的设计要求.讨论了OLT、ONU BiDi突发模式光收发一体模块的基本原理和设计方法,并给出了实验结果.     

混合应变量子阱SOA的增益特性

报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性．引入张应变量子阱的SOA器件，增益带宽约为50nm，偏振相关损耗小于1dB，峰值增益随偏置电流增大蓝移．在高偏置条件下，芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱收缩，增益下降．高性能SOA必须克服芯片剩余反射和抑制外腔反馈．     

基于ANSYS的大功率半导体光放大器的热分析

功率型半导体光放大器（High-Power Semiconductor Optical Amplifier,以下简称HP-SOA）在长距离自由空间光通信等领域有着诱人的应用前景,1550nm波段高速、大功率光源的需求日益增加,促进了HP-SOA技术的发展。随着输出功率的提高,HP-SOA热耗散功率也随之增加,其热特性对器件性能影响日趋明显,需及时散热。因此散热问题的解决是一个很关键的技术,高效率的器件散热结构设计十分必要。文章利用ANSYS有限元分析软件对输出光功率26dBm的大功率SOA器件的温度场分布进行了模拟和优化设计,为SOA封装材料、工艺方案的选择提供了依据,并据此进行了封装实验。     

一种适合于大量制备行波SOA增透膜新技术

提出了一种适合于批量制备SOA减反膜的实时监控技术。监控系统简单,操作方便,可以应用于国产镀膜机。由此技术批量制备SOA,腔面剩余反射均接近10-4。     

直接耦合半导体光放大器的噪声特性

研究了直接耦合混合应变量子阱半导体光放大器(SOA)的噪声特性.实验中测定SOA在130 mA偏置电流下的噪声指数为7.7 dB,表明应变量子阱结构改善了SOA的噪声性能.理论分析指出,通过消除SOA的剩余反射,其噪声性能可以得到进一步改善.     

1.55μm波段低偏振灵敏度半导体光放大器

研制了１．５５μｍ波段低偏振灵敏度的半导体光放大器（ＳＯＡ）．其有源区材料采用张应变和压应变交替排列的混合应变量子阱结构,由ＭＯＣＶＤ生长．张应变量子阱加强了ＴＭ模式的增益,改善了ＳＯＡ的偏振灵敏度．腔长为４００μｍ的单端耦合ＳＯＡ,在１６０ｍＡ偏置下,增益大于１６ｄＢ,偏振灵敏度约为１．８ｄＢ．