高性能2.5Gb／s用的DFB—LD／EA单片集成器件

报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ的单片集成ＤＦＢ＝ＬＤ／ＥＡ组件的 在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果，出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ〉３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ，该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０＾－１２。     

2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性进行了改进,并采用标准１４脚碟型管壳对集成器件进行了封装。封装后的发射模块阈值电流约为２０￣３０ｍＡ,边模抑制比大于４０ｄＢ,耦合输出光功率大于２ｍＶ,在３Ｖ的反向调制民压下消光比约为１７ｄＢ。我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输     

评价和控制投资估算精度的一种方法

提出了一种用ＤＥＡ模型（Ｃ＾２Ｒ）评价和控制建设项目投资估算精度的方法。该方法根据拟投资项目在评价模型中的最优目标函数值来判断其投资估算的合理性，最后给出了一个应用案例。     

混合应变多量子阱波导结构设计

本文从理论上对混合应变量子结构（既有张应变量子阱又有压应变量子阱）的光学限制因子进行了讨论。由于垒层宽度较小，其变化量也不大，对光学影响相对小一些。当各层的折射率一定时，对称和非对称结构的最佳波导层厚度差不多，限制因子与波导层厚度的关系也类似，在最佳波导层厚度附近的区域，ГＴＭ／ГＴＥ比值变化对波导层厚比较敏感，这点可以用于偏振无关放大器的设计中，因为我们能够通过调节波导层厚度改变ＴＭ／ＴＥ模式增     

千瓦级连续CO_2激光器电子温度的自动双探针测量系统

本文提出了用Z-80微型机控制的电子温度双探针自动测量系统,给出了数据处理的软件程序。在HGL-81型2kW级CO_2激光器上对放电等离子体进行了测量。在不同电流、不同气压、不同气体混合比例、不同位置测得的平均电子温度为(1.7～3.2)eV,平均电子浓度为(0.62～1.36)×10~(11)cm~(-3),平均比电场为2.0×10~(-16)V·cm~2。     

多波长分布反馈激光器阵列

介绍了应用于波分复用（ＷＤＭ）系统的多波长分布反馈（ＤＦＢ）激光器阵列的理论基础和设计方法。讨论了制作过程中出现的一些问题。     

光交叉连接中空分光开关阵列的研制

研究了热光开关的基本原理与光开关阵列的基本构成 ,给出了相关的主要性能参数。包括开关速度、隔离度、回波损耗、插入损耗等。实际制备了一个 4× 4的光开关阵列 ,并给出了初步的实验结果。     

1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析

本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器,并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈值电流,ＴＭ模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低,ＴＭ模式的斜率效率和总的斜率效率在一定温度范围内随温度升高而升高．测试了不同电流和温度下的偏振激射谱,两种激射谱随电流和温度改变都有很大变化,表明ＴＥ和ＴＭ激射模式之间有强烈的互作用．我们认为可能是由载流子分布与强激光辐射之间的非线性效应引起的．