基于J1939的发动机转速遥控系统设计

介绍了一种基于J1939总线的电喷发动机转速控制的遥控化设计。对遥控发动机的转速控制进行了分析,对控制系统的组成部分、软件设计流程和主调节模块分别作了介绍。针对特种移动机械的作业特点,将电喷发动机转速控制技术安全、有效地应用到该机器上。实践表明,该方法调节性能优良,能满足特种移动机械的作业要求。     

压路机的安全控制策略

在分析压路机施工特点的基础上,提炼出压路机施工中的安全控制需求,并由此构建压路机的安全控制系统,介绍该系统的组成、主要安全控制模块及控制方法.通过在压路机上的实际应用,表明该方法可有效保护压路机的相应部件,消除可能危及到人身和财产安全的隐患,达到了预期的目标.     

一种基于全差分积分器的时钟稳定电路设计

设计了一种用于超高速A/D转换器的时钟稳定电路。利用全差分连续时间积分器将差分时钟信号的占空比量化为电压信号,再通过跨导放大器产生控制电流来调整输出时钟的共模电平,达到调整输出时钟占空比的目的。电路采用0.18 μm标准CMOS工艺进行设计,工作电压为1.8 V,在2 GHz的最高时钟频率下,将占空比为20%~80%的输入时钟信号调整为(50±1)%,输出时钟抖动小于132 fs,具有抑制时钟抖动的能力。     

一种新的抗总剂量辐射加固P沟道VDMOS终端结构

Using positive surface charge instead of traditional γ-ray total dose irradiation, the electric field distribution of a P-channel VDMOS terminal has been analyzed. A novel terminal structure for improving the total dose irradiation hardened of P-channel VDMOS has been proposed, and the structure is simulated and demonstrated with a -150 V P-channel VDMOS. The results show that the peak current density is reduced from 5.51 × 10^3 A/cm^2 to 2.01 × 10^3 A/cm^2, and the changed value of the breakdown voltage is 2.5 V at 500 krad（Si）. Especially, using 60Co and X-ray to validate the results, which strictly match with the simulated values, there is not any added mask or process to fabricate the novel structure, of which the process is compatible with common P-channel VDMOS processes. The novel terminal structure can be widely used in total irradiation hardened P-channel VDMOS design and fabrication, which holds a great potential application in the space irradiation environment.     

硅功率集成技术发展动态

文章介绍了硅功率集成电路技术的一些发展劝态。单片中小功率智能集成电路发展迅速，以BCD为其主要工艺技术；基于SOI的智能功率集成电路也得到开发。单片集成式的功率管为电源管理小型化、高频、较高可靠性设计提供了新途径，它们在分布式电源、便携式设备仪表中得到广泛应用。     

非平行摆线三线摆振动周期的非线性解

通过下悬盘一挂点的几何约束方程,建立了非平行摆线三线摆无阻尼自由振动的二阶变系数非线性微分方程,利用该方程导出了非线性振动周期的表达式,对长、短摆线可分别用第一类和第二类椭圆积分表示．系统研究了摆长和摆角对振动周期的影响,并与线性振动的周期进行了比较,对影响短摆线测量周期的因素进行了分析．     

基于VHDL多路彩灯控制器的设计

分析多路彩灯控制器设计原理,采用硬件描述语言实现多路彩灯控制器的设计,具有可编程性、线路简单、可靠性高等特点,并通过仿真对结果进行了验证。     

采用混合晶向实现PMOSFET迁移率提升了150%

本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法,成功制作了集成有（100）和（110）晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料,成功研制了沟道宽长比为50：8 的PMOSFET器件,器件测试结果表明：制作在（110）晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下,电流驱动能力提高了50.7%,最大迁移率增加了150%,是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。     

基于SiGe虚拟衬底的低场迁移率提升140%的应变Si沟道NMOS器件 Cui Wei(崔伟)1,2,Tang Zhaohuan(唐昭焕)2, Tan Kaizhou(谭开洲)2, Zhang Jing(张静)2,

本文研究了一种应变SiGe沟道的NMOS器件,通过调整硅帽层、SiGe缓冲层,沟道掺杂和Ge组分变化,并采用变能量硼注入形成P阱的方式,成功完成了应变NMOS器件的制作。测试结果表明应变的NMOS器件在低场(Vgs=3.5V, Vds=0.5V)条件下,迁移率极值提升了140%,而PMOS器件性能保持不变。文中对硅基应变增强机理进行了分析。并利用此NMOS器件研制了一款CMOS倒向器,倒向器特性良好, 没有漏电,高低电平转换正常。     

WDM光网络中一种基SRLG限制的动态共享保护算法研究

WDM光网络中引入了共享风险链路组(SRLG)的概念,要求工作通道与保护通道不能处于同一个SRLG之中.文章提出了一种基于SRLG限制的动态共享通道保护算法,即满足K对业务的动态链路权重配置(K-Dynamic Link weight Configuration,K-DLWC)算法,该算法的关键在于为链路定义了两个动态权重.在计算工作通道和保护通道时,它能综合解决SRLG限制、局部最优等关键问题.