一种16位600 MS/s电流舵D/A转换器的设计

基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种16位600 MS/s电流舵D/A转换器。该D/A转换器为1.8 V/3.3 V双电源供电,采用并行输入、差分电流输出的四分段(5+4+3+4)电流舵结构。采用灵敏放大器型锁存器可以精确锁存数据,避免出现误码;由恒定负载产生电路和互补交叉点调整电路组成的同步与开关驱动电路,降低了负载效应引起的谐波失真,同时减小了输出毛刺;低失真电流开关消除了差分开关对共源节点处寄生电容对D/A转换器动态性能的影响。Spectre仿真验证结果表明,当采样频率为625 MHz,输入信号频率为240 MHz时,该D/A转换器的SFDR为78.5 dBc。     

一种改进的高速高精度ADC数字校准算法

提出一种能快速收敛并具有鲁棒性的流水线模数转换器(ADC)数字校准方法。设计的ADC采用12级1.5位/级MDAC和一个6位高精度SAR ADC的结构。采用Altera FPGA,对该算法进行了验证。结果表明,用该方法校准的A/D转换器,在90.55MHz输入频率下,SNDR可达到84dB,DNL为-0.59/0.28LSB,INL为-0.59/0.34LSB。     

页面-半字节型100~nS256kDRAM

本文将介绍一种256k字×1位,存取时间为100nS的动态RAM,这种RAM是通过分辩其内部CAS预充电时间差以页面型和半字节型工作。另外,将提出误差容限电压扰动工作,介绍为得到更高的生产成品率而使用的激光编程冗余技术。     

开关电流技术：一种新的模拟抽样数据处理方法

开关电流（ＳＩ）技术是一种新的模拟抽样数据处理技术，介绍了开关电流电路的基本单元结构，讨论了目前开关电流技术中存在的问题及其解决方法。对开关电流技术与开关电容技术的一些基本特征进行了比较，ＳＩ技术不仅结构简单，而且与标准ＣＭＯＳ工艺兼容，可望替代开关电容电路。     

一种适合∑-△A／D转换器的FIR数字滤波器

讨论了一种用于∑-△A／D转换器的固定系数半带（half-band）FIR数字滤波器，分析了其线性相位特性和低通滤波特性，给出了频率仿真结果，以及在Cadence设计系统中的电路和版图实现。     

一种高线性度超宽带采样/保持电路

设计了一种桥式并-串联级联结构的高线性度、超宽带采样/保持电路。该采样/保持电路包括输入缓冲器、辅助开关和SEF开关三个单元。采用桥式并-串联级联结构改进的辅助开关模块单元,大幅提高了电路的线性度和带宽。该采样保持电路基于0.13 μm SiGe双极型工艺进行设计,-4.75 V和2 V双电源电压供电。仿真结果表明,在100 fF采样电容、6.25 GHz采样频率、10.28 GHz输入频率的条件下,SFDR为69.60 dB,THD为-65.25 dB,-3 dB带宽达 35.43 GHz。     

一种新的抗总剂量辐射加固P沟道VDMOS终端结构

Using positive surface charge instead of traditional γ-ray total dose irradiation, the electric field distribution of a P-channel VDMOS terminal has been analyzed. A novel terminal structure for improving the total dose irradiation hardened of P-channel VDMOS has been proposed, and the structure is simulated and demonstrated with a -150 V P-channel VDMOS. The results show that the peak current density is reduced from 5.51 × 10^3 A/cm^2 to 2.01 × 10^3 A/cm^2, and the changed value of the breakdown voltage is 2.5 V at 500 krad（Si）. Especially, using 60Co and X-ray to validate the results, which strictly match with the simulated values, there is not any added mask or process to fabricate the novel structure, of which the process is compatible with common P-channel VDMOS processes. The novel terminal structure can be widely used in total irradiation hardened P-channel VDMOS design and fabrication, which holds a great potential application in the space irradiation environment.     

带高速电流舵DAC的直接数字频率合成器

本文给出了一种高速SiGe BiCMOS直接数字频率合成器设计。该数字频率合成器单片集成了高速DDS数字核,10位差分电流舵 DAC,串/并接口和时钟控制逻辑。芯片采用0.35μm SiGe BiCMOS标准工艺流片,工作在1GHz系统频率。测试结果显示,该DDS能够生成高达400+ MHz的捷变模拟sine波形。     

一种高频多相时钟发生电路的设计

给出了一种适用于分时采样结构A/D转换器的等间距8相时钟发生电路.介绍了延迟锁相环(DLL)的结构,给出了每一模块的具体模型并加以分析.在0.18 μm标准CMOS工艺和1.8V电源电压下,对电路进行了模拟仿真.仿真结果显示,在1.25 GHz的参考输入频率下,DLL输入每相延迟100 ps,锁定时间6.48 ns,总功耗为79 mW.     

一种高速高线性采保电路的设计

本文设计了一种拓扑结构为开环,基于栅压自举开关技术的S/H电路。在Cadence Spectre环境下进行仿真,在1.6GSPS的采样速率下,当输入信号为775MHz,1Vpp的正弦波时,该采样/保持电路的SFDR达到55.63dB,THD为-53.93dB。