数字化近景摄影测量在模型试验变形测量中的应用

讨论模型试验中目前主要采用的各种位移量测技术的优缺点，阐述了数码像机数字化近景摄影测量的基本原理和方法，对该方法进行了误差分析，并首次将该技术应用到模型试验变形测量中。该方法具有非接触、设备简单、对环境要求低、能直接提供内方位元素、无软片压平误差、自动化程度高、精度高等优点。研究结果表明，该方法所测位移场规律性好，与试验过程中各种现象符合很好，与对应点百分表测值相差在30％以内。     

面向掩模精化的表面微加工MEMS器件几何建模

MEMS器件设计流程中,为优化MEMS器件,常常需要对MEMS掩模进行精化设计.为了在MEMS精化设计中同步更新MEMS掩模与几何模型,提出一种面向掩模精化的表面微加工MEMS器件几何建模方法.该方法主要通过建立MEMS器件几何模型和工艺模型之间的依赖关系图,通过变动依赖关系,求出掩模精化所影响的几何元素,而后在几何模型中仅仅更新所影响的几何元素;对于所对应的几何模型存在拓扑突变等情况,该方法采用参数限定或局部几何模拟进行更新.实例分析表明,提出的几何建模方法能快速有效地响应掩模精化,从而有效地促进MEMS器件设计.     

SCR法治理NOx催化剂的进展

一、前言 硝酸生产尾气所排放的NO_x虽然仅占人类活动生成氮氧化物总量的1～2％,但由于它往往集中在工业区,污染源以高浓度排放,除了本身的一次污染外,还导致光化学反应,造成二次污染,故对城市环境和居民的危害特别严重。我国硝酸尾气排放的NO_x每年约有6.6万吨,这是当前迫切需要治理的重要污染物之一。     

选择性外延隔离P^＋多晶硅栅PMOSFET

在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成     

高速公路路基施工机械简述

介绍了高速公路路基施工机械的种类及其功能，从而加深人们对高速公路路基施工机械的了解，为在工程实践中合理选择机械做了准备。     

对药剂氧化法治理铁黄废水设施的改进

一经常超标排放的铁黄废水处理设施,藉节污减排、技术改进之助,使废水在pH值7—8、曝气1h等最佳运行条件下得到完全处理。分离出的铁黄颜料及铁泥被回收利用,清液达到‘三废’排放标准,部分当作中水予以回用。此举不仅彻底消除了氧化铁黄颜料生产行业中常见的次生污染,保护了环境,而且取得可喜经济效益。     

无汞排放的氧化铁含量测定方法

常规测定氧化铁颜料中氧化铁含量时产生难以处置完全的含汞废水,污染环境.本文介绍了对有汞测定加以改进的无汞测定法,以甲基橙或三氯化钛代替氯化汞去除残留氯化亚锡.无汞法不仅效果令人满意,而且没有含汞废水,有利于环境保护.     

水泥罐基础设计

就散装水泥罐的基础,在地质条件异常复杂的情况下,如何使设计更趋合理作一个简单的介绍。     

Ⅰ型季戊四醇的制造

前 言 Ⅱ型、Ⅲ型季戊四醇,杂质含量多,结晶细小,不能满足生产季戊四醇四硝酸酯炸药(PETN)的要求,必须再精制成Ⅰ型季戊四醇(即军用级季戊四醇,以下简称季戊四醇为PE)。 对PE进行精制的方法很多,研究得比较多的是重结晶法。 一般对Ⅰ型PE要求其纯度越高越好(>99％),但有时却需要制得纯度较低、粒