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硼扩散引起薄SiO2栅介质的性能退化 总被引:3,自引:0,他引:3
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深亚微米CMOS工艺中被采纳.但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄栅介质和沟道区内,引起阈值电压不稳定和栅介质击穿性能变差.迄今为止对硼扩散退化薄栅介质可靠性的认识并不是很明朗,为此本文考察了硼扩散对薄栅介质击穿电荷和Fowler-Nordheim (FN)电应力产生SiO2/Si界面态的影响. 相似文献
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离子注入Hg_(1-x)Cd_xTe是制备光伏红外探测器的关键工艺。国外已采用该工艺制备出高性能的HgCdTe多元列阵和焦平面器件。但其掺杂机制及退火机制尚不清楚,一般认为所有的元素离子注入P-HgCdTe均形成辐照损伤导致的N~+电学层,~(31)81P~+注入N-HgCdTe则形成P型层,是掺杂行为。本文着重报道我所近几年来用~(31)P~+注入N- 相似文献
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杨朝甦 《固体电子学研究与进展》1988,(4)
轻掺杂多晶硅制作高值电阻已广泛用于VLSI中。本工作研究了离子注入的轻掺砷多晶硅在氢、氮和高真空气氛中的低温退火特性。研究发现,高温活化退火并除去覆盖的SiO_2层后的轻掺砷多晶硅,在低温下再次退火后其电导将增加2~4个数量级。对此提出了新的解释,认为在高温活化阶段,SiO_2层中的自由氧可能进入了晶界并形成载流子俘获态;当SiO_2被除去并在低温下退火时,这些氧将从晶界解吸而使轻掺杂多晶硅的电导显著增加。可据以解释轻掺杂多晶硅许多不同于重掺杂多晶硅的特性。由于晶界氧俘获态的变化强烈影响轻掺杂多晶硅的电学行为,因此对氧俘获态的研究和认识对轻掺杂多晶硅的广泛应用有重要意义。 相似文献
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本文详细地分析了高温退火后在二硅化钼/薄n~+多晶硅(<1000A)栅结构中栅氧化层介电强度退化的情况。同时分析了栅氧化层绝缘特性和多晶硅中磷浓度、多晶硅原生氧化物,二硅化钼薄层电阻等各方面因素之间的关系,给出了二硅化钼、多晶硅、栅氧化物结构扫描电子显微镜、透射电子显微镜的观测结果。通过分析得出下列结论:高温退火时,在有阻挡层存在的情况下(阻挡层指二硅化钼淀积之前所形成的多硅上原生的厚氧化物),多晶硅与硅化钼局部作用会透过薄多晶硅层造成栅氧化物的损坏。根据分析结果,我们研究了一种没有介电强度退化的Mosi_2/薄Poly—si栅工艺。该工艺将二硅化钼直接淀积到未掺杂多晶硅上,从而控制多晶硅原生氧化物的生长,然后再将磷注入到二硅化钼中。这种工艺提供了很好的栅氧化层介电强度(薄到500A的多晶硅栅器件也是如此),易干法腐蚀,不产生多晶硅钻蚀,器件特性稳定,比通常的多晶硅栅工艺可靠性好。 相似文献
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超大规模集成电路需要低阻互连和低阻接触,为此我们研究了热壁低压选择性化学气相淀积钨的新工艺.该工艺能选择性地把钨淀积在接触窗口、栅及其互连线、源漏上而不淀积在周围的氧化层上.钨膜纯度高,电阻率低,与n~+、P~+单晶硅及n~+多晶硅接触电阻小.因此是超大规模集成电路较理想的新工艺和新材料. 相似文献
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在MOS电路制作中,掺杂多晶硅膜的应用已经成为非常重要的半导体技术之一。但是,本文将描述多晶硅掺杂/活化处理过程中产生的缺陷可以严重地影响栅氧化物的性能。无论是否采用离子注入,多晶硅的原位掺杂剂淀积,或旋转源扩散到多晶硅等方法进行掺杂处理,采用150~400(?)的栅氧化物腐蚀的电容器,其成品率都随着掺杂剂浓度的增加,活化温度的升高以及活化时间的增长而愈来愈降低。在重掺杂多晶硅中,对于亚微米CMOS栅工艺,在栅氧化物内,经BF_2~ 或As自对准源/漏注入和活化后,其缺陷密度被证明是接近于10cm~(-2)。另一方面,在低剂量注入和活化后,如用于硅化物多栅工艺,缺陷密度仅仅为0.002cm~(-2)。这些结果对于兆位存贮元件的成品率可能有很大影响。 相似文献
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高频电容法是测量P/P~+外延层电阻率的一种简单易行的新方法。这种方法,直接利用同质均匀掺杂外延层电阻率ρ与空间电荷电容Cs(势垒电容)平万的倒数关系,通过测量势垒电容Cs,直接得到P/P~+外延层的电阻率ρ。从而实现对P/P~+外延片的生产第艺过程,进行监控测试。这种方法,不但测试过程简单,而且,不损伤外延层。它既可以在国外仪器上完成,又可以在国内仪器上完成,适用于我国一般IC单位。在国外仪器上,测量范围为2.20×10~(-4)Ω·cm~1.95×10~5Ω·cm,测量误差为±0.02%:在国内仪器上,电阻率测量范围为1.0×10~(-3)Ω·cm~1.0×10~5Ω·cm,测量误差为±2%。 相似文献
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日本德克萨斯仪器公司掌握了在一个沟道中形成两个晶体管的技术,并试制成1Mb掩模ROM。该项技木使用P~+衬底上的P~-外延层,外延生长时形成n~+埋入层(纵型MOS FET的源极),挖方形沟至这个 相似文献
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应用高剂量(5×10~(15)/cm~2)的Si~+、P~+离子注入,成功地实现了LPCVD淀积在硅衬底上的非晶硅薄膜的固相外延。本文还研究了Si~+、P~+注入对低压气相淀积非晶硅薄膜固相外延的影响。实验发现,~(31)P~+能加速固相外延的速率,改善再结晶膜的质量,并能抑制SiO_2衬底上的成核,从而为固相生长绝缘衬底上的单晶薄膜(SOI)创造了条件。 相似文献
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<正>本工作主要从事高温栅离子注入全平面工艺的研究,并应用此技术设计和制备了具有良好性能的耗尽型GaAs MESFET和GaAs运算放大器差分输入电路.80年代初期,由于离子注入、干法技术的发展、高温栅离子注入全平面工艺逐渐取代了传统的凹栅工艺,成为更有前途的GaAs MESFET集成电路技术.该工艺通过直接在半绝缘衬底上注入和退火的方法,形成有源层和n~+层;以高温栅取代传统的A1栅和其它低温栅,并引进干法刻蚀技术取代传统的“剥离”技术;同时以高温栅为掩蔽,自对准注入n~+层.离子注入形成的有源层,具有更好的均匀性;通过调整注入剂量和能量,来调整MESFET夹断电压,更具灵活性,易控制,精度高.同时,以栅为掩蔽自对准注入n~+层,大大减小了串联电阻;整个电路制作在同一平面上,克服了凹栅工艺布线成品率较低的问题.整个电路一致性、均匀性都较好,成品率也大幅度提高. 相似文献
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半绝缘GaAs中Mg~++P~+双注入研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对Mg~+和P~+双离子注入半绝缘GaAs的行为进行了研究.发现不论是常规热退火还是快速热退火,共P~+注入都能有效地提高注入Mg杂质的电激活率,其效果优于共As~+注入,共P~+注入的最佳条件是其剂量与Mg~+离子剂量相同,电化学C—V测量表明,双注入样品中空穴分布与理论计算值接近,而单注入样品中则发生严重偏离,快速热退火较常规热退火更有利于消除注入损伤. 相似文献