分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。     

BPxN1-x薄膜的制备及磷元素对其光学能隙的影响

本文从应用出发，选择光学石英为衬底，采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1—x薄膜，对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态，表面形貌随时间变化，最终为胞状；紫外—可见光光谱结果显示BPxN1—x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此，该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外，BPxN1—x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器。     

气敏材料的研究进展

从气敏材料种类，制备方法，改善气敏材料缺陷的手段等方面介绍了气敏材料的研究进展，论述了气敏材料研究中的新动向，展望了它的未来发展。     

掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究

以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法，(PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比；硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大，薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米硅，最后发展为多晶硅。红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献。     

氮对纳米硅氮薄膜品化的影响

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜结果表明：当Ｎ＿２／ＳｉＨ＿４气体流量比（Ｘｎ）从１增加为４时，薄膜的晶态年从５８％降至１４％，晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｕｍ，Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２．当Ｘｎ≥５，则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜．当Ｘｎ从１增加为１０时，薄膜暗电导率从１０￣（－５）（Ωｃｍ）￣（－１）降至１０￣（－１１）（Ωｃｍ）￣（－１），具有逾渗行为，这与薄膜的晶态率紧密相关．     

非晶硅氢合金液晶光阀的研究与发展

本文综述了近四、五年间发展起来的非晶硅(a-Si:H)液晶光阀(LCLV)的研究及进展情况。讨论了以a-Si:H制成光导层或PIN结光二极管形式作光阀的电荷产生层及利用向列型或近晶型液晶作为光调制器(SLM)所组成的液晶光阀的工作原理。分析了a-Si:H本身的性能,光阀上所施加的电压和电压的频率以及采用不同的液晶,组成不同的结构形式等对光阀器件性能的影响。     

光隔离器及其相关的磁光材料

本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类 ,并提出了该器件今后发展的几个问题 ,最后介绍了几种磁光材料     

液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究

用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.     

基于纳米压痕技术的电子玻璃微观力学性能研究

为了研究不同电子玻璃的微观力学性能,采用先进的纳米压痕技术记录钠钙硅、无碱硼铝硅和碱铝硅等典型电子玻璃的载荷-位移曲线,利用Oliver-Pharr方法和经典的弹塑性变形理论,计算玻璃的硬度和弹性模量. 玻璃的硬度主要与结构的键合度相关,平均非桥氧数越高,外力作用下越容易致密化,硬度越小;弹性模量主要取决于质点间的化学键强度,化学键力越强,变形越小,弹性模量越大;九点法测得的弹性模量与硬度的变化趋势不完全相同,借助硬度-弹性模量-能量耗散之间的本征关系,评价玻璃样品的微观均匀性,其中无碱硼铝硅玻璃的恢复阻力大,局部能量耗散大,不容易引起整体破坏,力学性能最好;与浮法工艺相比,溢流下拉法制备样品的局部力学性能波动较小,微观均匀性较好.     

掺Tb3+钛酸铅粉末的制备和结晶行为

采用溶胶喂胶法制备了Tb^3 掺杂钛酸铅(PbTiO3，PT)超细粉末，分别用差热分析、透射电子显微镜、X射线衍射仪对其相结构、形貌特性以及晶粒粒径等进行了分析测试。结果表明：这种粉末在约600℃热处理温度下，由非晶基体转变形成钙钛矿相的过程已逐步完成，其晶粒平均尺寸约为18nm，比未掺Tb抖的PT粉末中的钙钛矿晶粒尺寸略小。形成的钙钛矿结构中，Tb^3 取代Pb^2 进入晶格位置，产生阳离子空位，诱发晶格畸变，使钙钛矿相的析晶能力比相同热处理条件下未掺杂Tb^3 的PT低。另外，掺Tb^2 的PT中钙钛矿相的晶轴比c／a比未掺Tb^3 的PT中的低，这类似于产生了赝立方结构，降低了从立方相向这种四方相转化的势垒，有效地抑制了较高温下焦绿石相的产生，使掺Tb^3 的PT中焦绿石相稳定存在的温度比未掺Tb^3 的PT中低约100℃。